第三章_半导体中载流子的统计分布_蓝色.pptVIP

第三章 半导体中载流子的统计分布;重点和难点 热平衡时非简并半导体中载流子的浓度分布 费米能级EF的相对位置;热平衡状态;如何得到载流子的浓度？;态密度的概念;态密度的计算; 假定在能带中能量E～（E+dE）之间无限小的能量间隔dE内有dZ个量子态，则状态密度g（E）为: （3-1） g（E）：能量E附近每单位能量间隔内量子态数 ;怎样得到g（E）? 通过k(k空间) 计算k空间的状态密度 ; 1.算出单位k空间中量子态数（k空间的状态密度）。 2.算出k空间中与能量dE 即E～（E+dE）间对应的k空间体积，用k空间体积和k空间中的状态密度相乘（dZ）。 ;3.1.1 k空间中量子态的分布;在 空间中，电子的允许能量状态密度为 ，考虑电子的自旋情况，电子的允许量子态密度为 ，每个量子态最多只能容纳一个电子。;3.1.2 状态密度 允许的量子态(允态)按能量如何分布? 计算半导体导带底附近的状态密度 ;导带底附近E(k)与k的关系： ; 两个球壳之间体积是4лk2dk，k空间中量子态密度是2V/8π2 ，所以，在能量E～(E+dE)之间的量子态数为 ;由式（3-2）求得k与E的关系; 同理可算得价带顶附近状态密度gv（E）为: ;特点： ?状态密度与能量呈抛物线关系 ?有效质量越大，状态密度也就越大 ?仅适用于能带极值附近;;硅：导带底共有六个对称状态 s=6，将m1，mt的值 代入式，计算得mdn=1.08 m0 。对锗,s= 4，可以计算 得mdn=0.56 m0; 硅、锗中，价带中起作用的能带是极值相重合的两个能带，这两个能带相对应有轻空穴有效质量（mp）1和重空穴有效质量（mp）h。 ; 价带顶附近状态密度应为这两个能带的状态密度之和。相加之后，价带顶附近gv（E）仍可下式表示， 不过其中的有效质量mp为mdp. ;3.2 费米能级EF和载流子的统计分布;根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律 对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率 为 称为电子的费米分布函数 空穴的费米分布函数？; EF非常重要的一个量~费米能或费米能量，它和温度T、半导体材料的导电类型n、p，杂质的含量以及能量零点选取有关。表示基态下最高被充满能级的能量。 ;费米分布函数f（E）特性分析： a)当T=0K时：若EEF，则f(E)=1，若EEF，则f(E)=0。; ∴在热力学温度零度时，费米能级EF可看成量子态是否被电子占据的一个界限。 ; 系统热力学温度 0时，如量子态的能量比费米能级低，则该量子态被电子占据的概率50%； 量子态的能量比费米能级高，则该量子态被电子占据的概率50%。 量子态的能量等于费米能级时，则该量子态被电子占据的概率是50%。 标志----费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的; 费米能级位置直观地标志了电子占据量子态情况. 费米能级标志了电子填充能级的水平 对一系统而言, EF位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 ; 图给出的300K、1000K，1500K时f(E)与E的曲线，从图中看出，随着温度的升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，而占据能量大于费米能级的量子的概率增大。 ;费米能级EF;3.2.2 玻尔兹曼分布函数;; 显然,在一定温度T，电子占据E的的概率由 e-E/k0T定-----玻耳兹曼统计分布函数 fB(E)称为电子的玻耳兹曼分布函数;我们讨论f（E） ： f（E）表能量为E的量子态被电子占据的概率， 1-f（E）必然表示能量为E的量子态不被电子占据的概率，表量子态空（被空穴占据）的概率。 ;当（EF-E）》k0T时，;EF; E增大，f(E)减小，导带中绝大多数电子分布在导带底附近; 价带中的量子态，被空穴占据的概率，一般满足1-f(E)《1。 价带中的空穴分布服从空穴的玻耳兹曼他分布函数。 E增大，1-f（E）增大，价带中绝大多数空穴集中分布在价带顶附近。;（3-13）、（3-14）两个基本公式。 服从玻耳兹曼统计律的电子系统-----非简并性系统 ;知识点小结;3.2.3 导带中的电子