第二章半导体器件基础20117989174220110905153843.ppt

问题： 1.常用电子器件有哪些？ 2. 这些器件有什么特点？;第2章 半导体器件基础;2.1 半导体基础知识;一、半导体特性;二、本征半导体及半导体的能带;锗晶体的共价键结构示意图 半导体能带结构示意图;1. 本征半导体中有两种载流子;? 本征半导体的载流子的浓度;? 载流子的产生与复合;三、杂质半导体;? N型半导体;? P型半导体;杂质半导体（续）;2.2 PN结;一、PN结的形成;内电场阻止多子扩散 ;内电场?;三、PN结的伏安特性;2. PN结加反向电压时的导电情况; 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;式中 Is ? 饱和电流; UT = kT/q ?温度电压当量 k ? 波尔兹曼常数；q为电子的电量； T=300k（室温）时 UT= 26mv;;四、PN结电容; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;五、PN结的反向击穿;一、晶体二极管的结构类型 二、晶体二极管的伏安特性 三、晶体二极管的等效电阻 四、光电二极管 五、发光二极管 六、稳压二极管 七、变容二极管 八、二极管的典型应用;;伏安特性：是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线，;? 晶体二极管的伏安特性;? 晶体二极管的伏安特性;;三、晶体二极管的等效电阻(续）;三、晶体二极管的等效电阻(续）;;四、光电二极管;1.定义：;六、稳压二极管;? 稳压二极管;;半导体二极管的型号;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;;全波整流;桥式整流;应用二： LED显示器;应用三：稳压电路。 工作原理：利用稳压二极管提供稳定的直流电压。;八、二极管的典型应用（续）;小 结;? 晶体二极管实际上就是一个PN结，描述二极管的性能 常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述。 即二极管两端的电压和流过的电流满足I=Is(e U/UT-1)。 硅管：当UD0.7V时，二极管导通，导通后，UD=0.7V 锗管：当UD0.3V时，二极管导通，导通后，UD=0.3V ? 稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管，工作区在反向击穿区。可以提供一个稳定的电压。使用时注意加限流电阻。 ? 晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅等。 ? 半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光—电、电—光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。;重点：晶体二极管的原理、伏安特性及电流方程。 难点：1.两种载流子 2.PN结的形成 3.单向导电性 4.载流子的运动 ;例题： 判断图示电路中的二极管能否导通。 ;结果：;填空： 1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），少数载流子的浓度则与（ B ）有很大关系。;选择填空： 1.稳压二极管通常工作在（ ）状态下，能够稳定电压。;2.4 双极型晶体管;一、晶体三极管的结构及工作原理;一、晶体三极管的结构及工作原理（续）;? 三极管的结构（续）;? 三极管的工作原理;;;;共射CE组态直流放大系数;;;二、三极管的伏安特性曲线;特性曲线;特性曲线;放大区—IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距。 (1) 发射结正偏，集电结反偏，电压Ube大于0.7V左右(硅管) 。 (2) Ic=?Ib,即Ic主要受Ib的控制。 (3) ?≈;三极管的四种工作状态：;三、三极管的参数;集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流。;集电极最大允许电流ICM;反向击穿电压UCEO、UEBO、 UCBO;UCES; 晶体管的安全工作区;四、温度对三极管参数的影响;小 结;例题： 某放大电路中双极型晶体管3个电极的电流如图所示。已测出;填空： 1.放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为VA=-9V，VB=-6.2V，VC=-6V，则三极管是_______三极管，A为_____极_，B为_____极，C为_______极。;选择填空： 1.当温度升高时，半导体三极管的β（ ），穿透电流ICEO（ ），Vbe（ ）。; 2.5 场效