萧基接触的barrier 新high.pptVIP

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2017-04-29 发布于湖北
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萧基接触的barrier 新high.ppt

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蕭基接觸的barrier high; 在熱平衡時，金屬與半導體之接觸能帶;一個理想的位障高(barrier height)可以表示為：;金半接面的C-V特性的蕭基能障計算方式:;Vbi公式:;將1/C2 對V作微分;Vn公式:;以C-V特性來計算barrier high ,首先要知道金屬和半導體的1/C2對應的外加電壓,再以公式3計算出ND ,知道ND之後就可以計算Vn用公式4,再利用公式2計算Vbi ,再用公式1就可以計算出barrier high ;金半接面的I-V特性的蕭基能障計算方式:;計算李查遜常數(effective Richardson constant)公式;說明:;歐姆接觸的Rc;一般通常要製作歐姆接觸有兩種，一是提高摻雜濃度，來造成空乏區變很窄，讓電子能夠直接穿透變成導通的情況，另一種是利用金屬的功函數(work function)比n型半導體的功函數小， φm φs 。若以p-type半導體為例，就是利用金屬的功函數(work function)比p型半導體得功函數大， φm φs 。;熱游子放射機制－低摻雜濃度 ;當載子摻雜濃度小於或等於1017cm-3時，由於空乏區(depletion region)較寬，使得載子很難穿過位障，但是當位障高度較小時，載子可由熱激發的方式而越過位障，其電流的傳導就受熱游子放射所主導。;場放射機制－高摻雜濃度 ;當載子摻雜濃度大於或等於1018cm-3時，空乏區因摻雜濃度提高而變得非常狹窄，雖然載子的能量不足以克服蕭特基位障，但是可以輕易的由金屬端或者是半導體端以穿隧的方式進入另一端。;說明:;References