ZrO2基体固体电解质汇总.pptxVIP

指导教师：李志成 ZrO2基体固体电解质材料 萤石结构是典型的具有氧离子传导特性的晶体结构。在这种结构中,阳离子位于氧离子构成的简单立方点阵的中心,配位数通常是八,氧离子位于阳离子构成的四面体中心,配位数通常是四,具有该种晶型的氧离子导体包括氧化铈基电解质材料、氧化铋基电解质材料、氧化锆基电解质材料等。 氧离子导电材料的结构特征 如图所示,Y2O3稳定化的ZrO2具有氧缺位的立方萤石结构。由于晶体是电中性的,Y3+取代Zr4+后,为了维持电中性,而产生氧离子空位,而氧离子便通过这种缺陷结构进行传导,从而改善了ZrO2的导电性。 氧离子导电材料的结构特征 氧离子导电材料导电机理 顾名思义，以氧离子作为载流子的固体电解质即为氧离子导电材料。因此以金属氧化物为基体做氧离子导电材料时最常见也是最合适的。其中以第Ⅳ副族金属或者四价稀土金属氧化物最为受重视。此类金属氧化物大多数氧离子导体居于萤石型结构(如CeO2),有时可能是扭曲的萤石结构（如ZrO2）一是萤石型为立方相空间位阻小。二是价态高，被低价金属阳离子取代时容易形成更多的氧空位。 氧离子导电材料导电机理 纯相Zr02在常温下主要呈单斜晶体结构,该结构空间位阻大因此离子迁移率较低。Zr02基电解质一般都采用低价金属氧化物进行掺杂,掺杂剂通过固相或液相反应进入Zr02晶体结构中,一方面使Zr02在较低温度下保持立方相结构,而立方相结构在三种相结构中空间位阻最小电导率最高 氧离子导电材料导电机理 另一方面掺杂低价态金属阳离子进入ZrO2晶体后替代部分错离子形成置换固溶体,由于掺杂阳离子带电量低于锆离子,因此晶体内部会引发电荷不平衡现象,为了保持电荷的平衡ZrO2晶体结构形成氧离子空位。（ZrO2氧空位缺陷结构图见图） 氧离子导电材料导电机理 如在ZrO2中固溶CaO，Y2O3等可以获得稳定型ZrO2，固溶过程形成氧空位，反应如下： 掺杂的固溶体使得ZrO2中氧空位大量产生，氧离子在高温下更容易快速移动。当氧空位浓度较小时，离子电导率与氧空位浓度成正比。 但是在氧空位浓度较大时，离子电导率达到最大值，然后，随氧空位浓度进一步增大，电导率反而下降。这是因为氧空位与固溶金属阳离子发生综合作用，如生成（ ）之类造成。过多的氧空位造成氧空位和金属离子的复合。使氧离子迁移能力下降，导致电导率下降。 氧离子导电材料导电机理 题目要求 为实现400-500℃的氧离子导电率为0.1S/cm以上，谈谈你的解决办法，说明理由 我们采取将两种不同的氧化物与氧化锆形成共掺杂，制备三元体系氧化锆基电解质，并将其薄膜化。将电解质薄膜化可以减小电阻，提高电导率。经查文献，本文提出共掺杂ScSz（Sc2O3稳定的ZrO2称为ScSz）的思路。 设计思路一： 设计思路一： Sc2O3稳定的ZrO2具有最高的电导率1000℃时电导率可以达到0.25S/cm。但是低温下立方相 ScSz会向三方相转变(三方相的导电性较差)，且Sc2O3的价格相对较高。通过共掺杂可以解决这些问题。 设计思路一： 实际的陶瓷材料绝大多数都是多晶多相材料，晶界相的存在及其对材料性能的影响问题一是陶瓷材料研究中的一个重要问题。ZrO2基固体电解质材料的研究也不例外。ZrO2材料中的晶界主要是由原料中的中的SiO2等杂质在烧成过程中向晶界偏析而形成的，导电性很差,它出现对材料的总电导率有很大的贡献。尤其是在中低温时ZrO2基固体电解质材料的导电性能将主要由晶界相控制。显然，如果能有效的提高晶界相的导电性能。则可以改善甚至大幅度提高整个材料的导性能。 设计思路一： Al2O3在ZrO2中的溶解度很小，只有不超过0.5mol%的Al2O3能融入ZrO2基体晶格中，其余的Al2O3则偏析于晶界。所以掺杂Al2O3后不仅可以提高晶界相的导电性能还可以防止氧空位与其复合，并且还有利于该材料薄膜化。据此，提出将Al2O3掺入ScSz中这一方案。 纳米晶薄膜的制备 膜的制备:为得到表面洁净的薄膜，膜的涂渍需在超净间中行。采用旋转涂覆法，转速为4000r/min，时间为l0s。经过涂渍的膜立即转移到约110e的烘箱中，烘20min，以除去体系中的乙醇/水混合溶剂，并使膜上的溶胶干胶化，产生树脂中间。从烘箱中取出后转移至400 e的低温扩散炉中，在通入适量氧气下预烧结20