第一章半导体器件汇总.ppt

第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;1.1.2 本征半导体;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征激发;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;1.1.3 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;杂质半导体的示意表示法：;小结;;P型半导体;漂移运动;－;1.空间电荷区中没有载流子。;1.2.2 PN结的单向导电性;－;二、PN 结反向偏置;1.2.3 半导体二极管; 二、伏安特??;三、主要参数;3. 反向电流 IR;4. 微变电阻 rD;5. 二极管的极间电容;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;二极管的应用举例2：;;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;负载电阻 。;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;1.2.5 特殊二极管;二、 发光二极管;;B;B;1.3.2 三极管的连接方式;B;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;B;1.3.4 特性曲线;一、输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;USB =5V时:;1.3.5 主要参数;例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM