4-BJT及放大电路基础选读.ppt

4 双极结型三极管及放大电路基础;4.1 双极型三极管BJT;4.1.1 BJT的结构简介;三极管的不同封装形式; 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。;2.PNP型;? 发射区的掺杂浓度最高；;外部条件;外部条件;电流分配关系;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路;两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;;特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：特征－IC明显受VCE控制该区域内，一般VCE＜1V(硅管)。即处于发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;共射极连接;练习：测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。; (1) 共射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const.;α与β间的关系：; 2. 极间反向电流;(1) 集电极最大允许电流ICM——三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;4.1 小结;4.1 试题常见类型 ;1，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示，分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。;2,测出电路中晶体管三个电极对地的电位，判断其工作状态。;4.2 基本共射极放大电路;基本放大电路：;4.2.1 基本共射极放大电路的组成;4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理;电流关系：;2. 动态;所有电容短路;4.3 放大电路的分析方法;4.3.1 图解分析法;(1). 输入回路;(2). 输出回路;IB;2. 动态工作情况的图解分析;可得如下结论： 1. vi?? vBE?? iB?? iC?? vCE?? |-vo| ? 2. vo与vi相位相反； 3. 可以测量出放大电路的电压放大倍数。 ;3. 静态工作点对波形失真的影响;Q点过高——饱和失真;例4.3.1 一个实际的单管放大电路; (a)直流通路 ;(1)静态工作情况;称为交流负载线;1.从Q点做一条斜率为-1/R’L ?的直线。;可得如下结论： 直流负载线和交流负载线相交于Q点； 不接RL时，两根线重合； R’LRC，即交流负载线比直流负载线陡，相同输入电压条件下，带负载后输出电压幅度下降，电压放大倍数下降。;最大不失真输出幅度的获取：;4. 图解分析法的适用范围;4.3.2 小信号模型分析法; (1)模型的建立;（2)模型中的主要参数;注意：;? 模型的简化;? H参数的确定;（1）画小信号等效电路;（3）求放大电路动态指标;（3）求放大电路动态指标;3. 小信号模型分析法的适用范围; 放大电路如图所示。 已知BJT的 ?=40， rbb’=200? ， VBEQ=0.7V， 求：;4.4 放大电路静态工作点的稳定问题;4.4.1 温度对静态工作点的影响;(2) 温度对? 的影响; 可见，温度上升时，参数的变化都会使放大电路中的集电极静态电流ICQ随温度升高而增加，从而使Q点随温度变化。 ;4.4.2 射极偏置电路;b点电位基本不变的条件：;（2）放大电路指标分析;②电压增益;输出回路：;③输入电阻;④输出电阻;4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路;4.5.1 共集电极放大电路;①小信号等效电路;②电压增益;③输入电阻;④输出电阻;共集电极电路特点：;电流折算法记公式：;4.5.2 共基极放大电路;2.动态指标;② 输入电阻;4.5.3 放大电路三种组态的比较;2.三种组态的比较;3.三种组态的特点及用途;4.6 组合放大电路;补：多级放大器的动态计算;2.电压增益的计算;3.输入电阻的计算;4.6.1 共射-共基放大电路;其中 ;输入电阻;T1、T2构成复合管（达林顿管);1. 复合管的主要特性;PNP与NPN型BJT组成???复合管 ;2. 共集-共集放大电路的Av、 Ri 、Ro ;4.2?4.6小结;4.2?4.6试题常见类型;5，正确画出直流和交流通道，画H参数小信号模型； 6，基本组态放大电路静态工作点、放大倍数、输入电阻、输出电阻计算 7，失真分析及消除办法； ;例1 判断图示各电路是否能放大交流信号 ;例2 电路如图示，三极管的?=100，rbe=1.5K?，静态时VBE=0.7V，所有电容对交流可视为短路 （1）静态工作点Q，Av、Ri、Ro、Avs （2）若管子的饱和压降为VCES=0.7V，当增大输入电压时，空载和3K ?负载时电路各首先出现饱和失真还是截止失真？ （3）若C3开路，则Q