第二章晶体生长的结晶化学基础-上选读.pptx

晶体生长的结晶化学基础;一、晶体生长的基本过程;3; 晶体内部结构、环境相状态及生长条件都将直 接影响晶体生长的“基元”过程。 环境相及生长条件的影响集中体现于基元的 形成过程之中 —（1） 而不同结构的生长基元在不同晶面族上的吸 附、运动结晶或脱附过程主要与晶体内部结 构相关联。—（2）～（4） ;不同结构的晶体具有不同的生长形态。 对于同一晶体，不同的生长条件可能产生不同结构的生长基元，最终形成不同形态的晶体。 同种晶体可能有多种结构的物相，即同质异相体。这也是由于生长条件不同，“基元”过程不同而导致的结果。 晶体内部缺陷的形成又与“基元”过程受到干扰有关。 ;二、晶体生长的理论基础;2、相变驱动力 相变驱动力对于不同类型的相转变具有不同的表 达： 对于气?固转变，相变驱动力可以表示为气体压 强过饱和度的函数； 对于液?固转变，相变驱动力既可以用浓度过饱 和度衡量，也可用温度过饱和度衡量。在溶液 中，A组分达到过饱和时，体系中的A组分可从液 态转变为固态（晶体）； 对于熔体可用过冷度衡量。 ;3、成核理论 晶体生长可以分为成核和长大两个阶段。 成核过程主要考虑热力学条件 长大过程主要考虑动力学条件 在晶体生长过程中，新相核的发生和长大称为成核过程。成核过程可分为： 均匀成核 非均匀成核。 ;（一）均匀成核;10;所谓非均匀成核，是指体系在外来质点，容器壁或原有晶体表面上形成的核。在此类体系中，成核几率在空间各点不同。 自然界中的雨雪冰雹等的形成都属于非均匀成核。 实际上，在所有物质体系中都会发生非均匀成核。有目的地利用体系的非均匀成核，可以达到特殊的效果和作用。 ;4、动力学;动力学影响因素：;14;三、晶体的结晶形态与生长条件;（2）单形在各晶系中的分布 晶体中的单形共有47种，低级晶系有7种，中级晶系中有25种，高级晶系中有15种。 低级晶系中的单形 ;b)中级晶系中的单形;18;c)高级晶系中的单形;（2）聚形： 聚形是由两个以上的单形聚合而成，不同单形的晶面与对称要素的相对位置是不同的，各种单形的形状、大小亦各自不同，因此，可以根据晶面的数目和形状来推知组成聚形的单形数目。 ; 理想晶体中同一种单形所显露晶面的大小和形状应该是完全相同的，但是在实际晶体中却不然，晶体中同一种单形显露晶面的面积大小可以是完全不同的，甚至同种单形的晶面有时也可以不完全显露。;四、晶体面角恒等定律;五、晶体的结晶形态与生长条件;24;25;26;27;28;29;30;五、晶体场理论;1、过渡金属：正八面体、四面体晶体场d轨道 分裂;33;34;35;36;2、利用晶体场对过渡金属配位体进行处理;38;39;40;41;42;43;44;45;46;47;48;49;50;51;52;53;54;55;56;57;3、配位体的畸变效应;59;60;61;62;63;64;七、负离子配位多面体与晶体结晶形态;66;67;68;2、负离子配位多面体在晶体中的结晶方位与晶体结晶形态; 根据阴离子或阴离子构成的负离子配位多面体在 晶体中的分布推导晶体的结构和结晶形态： 由于晶体中的负离子配位多面体的对称或配位体在晶体中结晶方位能反映出晶体的对称特征，故描述晶体结构时用配位多面体为基元是合理的； 配位多面体的形状是以每个阴离子为中心相互联结起来所构成的，阳离子位于配位体的中央，阴离子则位于配位多面体的各个顶角； 实际晶体中，阴离子往往只能是近似的紧密堆积，同时晶体还伴有极化现象，它们直接影响到配位多面体的几何形状。;氯化钠和金红石的晶体结构 ;(2)AB2型晶体——CaF2;73;74;75;3、晶体中正、负离子半径比（R+/R-）与晶胞和结晶形态;77;78;79;80