模拟电路第5章n教程.ppt

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2017-05-01 发布于湖北
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模拟电路第5章n教程

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;与BJT相比：;P沟道;5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;2. 工作原理;当vGS一定（vGS VT ）时，;预夹断后，vDS?;2. 工作原理;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.4 沟道长度调制效应;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.1.5 MOSFET的主要参数;5.2 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;假设工作在饱和区;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;3. ??信号模型分析;5.3 结型场效应管;5.3.1 JFET的结构和工作原理;2. 工作原理;2. 工作原理;2. 工作原理;综上分析可知;5.3.2 JFET的特性曲线及参数;与MOSFET类似;5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法;（2）高频模型;2. 动态指标分析;;*5.4 砷化镓金属-半导体场效应管;5.5 各种放大器件电路性能比较;5.5 各种放大器件电路性能比较;; 解：;例题