二极管及其特性汇总.ppt

半导体二极管及其应用; 学习目标: 　 1．了解半导体的基本概念和本征半导体、杂质半导体的特点。 2．了解PN结的形成，掌握PN结的单向导电性。 3．了解半导体二极管的结构；掌握二极管的伏安特性及主要参数。 4．掌握常见的二极管应用电路（如整流滤波电路、稳压电路等）的工作原理及分析方法。 5．掌握使用万用表对二极管作简易测试的方法。;物质分有导体、绝缘体和半导体三类 ;半导体： 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 常用的半导体材料有： 硅、锗、硒、砷化镓以及金属氧化物和硫化物等 ;半导体的特性： 1）掺杂性 半导体的电导率会因加入杂质而发生显著的变化 2）温敏性 温度的变化也会使半导体的电导率发生显著的变化 3）光敏性 半导体的光电效应较好，光照不仅可以改变半导体的电导率，而且可以产生电动势 ;1、 本征半导体;2）本征激发和载流子 ; 束缚电子填补空穴的运动称“复合”;3）结 论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载“电荷”形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。;（3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子-空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 注：“空穴”的出现是半导体导电区别于导体导电的一个主要特征。;2、 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质元素，可使其导电性能显著改变。 根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类： N型（电子型）半导体 P型（空穴型）半导体。;1）N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。;结论 （1）N型半导体多余的自由电子参与导电移动后，在原来的位置留下一个不能移动的正离子，但与此同时没有相应的空穴产生，半导体仍然呈现电中性。 （2）N型半导体自由电子为多数载流子（称多子），空穴为少数载流子（称少子）。即N型半导体主要靠自由电子导电。;2）P型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入???量的三价元素，如硼（B）、铟（In）等，则构成P型半导体。;结论 （1）P型半导体中，邻近的束缚电子如果获取足够的能量，有可能填补这个空位，使原子成为一个不能移动的负离子，但与此同时没有相应的自由电子产生，半导体仍然呈现电中性。 （2）P型半导体中，空穴为多数载流子（多子），自由电子为少数载流子（少子）。 （3）P型半导体主要靠空穴导电。;1.1.3、 PN结及其导电性;结论 1）扩散运动：多子的运动 2）漂移运动：少子的运动 漂移运动和扩散运动的方向相反;2、PN结的形成 当通过内电场的扩散电流等于漂移电流时，它的宽度保持一定而处于稳定状态，PN结即形成。 注： 1）PN结内电场的电位差约为零点几伏。 2）当PN结两端没有外加电场时，PN结中无电流流过。;3 PN结的单向导电性 1）PN结外加正向电压（ PN结正偏）;2）PN结外加反向电压（ PN结反偏）;结论 PN结正偏时处于导通状态，有较小的正向电阻，正向电流IF较大； PN结反偏时处于截止状态，有较大的反向电阻，反向电流IR较小。 注：正偏导通、反偏截止的特点体现PN结具有的单向导电特性。;3. PN结的击穿;注1： PN结的击穿有“雪崩击穿”和“齐纳击穿”两种 注2： 电击穿：当发生以上两种击穿时，反向??压下降到击穿电压以下时，PN结的性能仍能恢复到原来的状态的为“电击穿 ”状态 热击穿：若发生“电击穿”后，反向电压不能即时下降或撤掉，那么PN结将因发热而击穿损坏。 注3： PN结的热击穿是不可恢复的，在应用中应尽量避免;1.2 二极管及其特性;分类：;点接触型;负极引线 ;;;1.2.2 二极管的伏安特性及其主要参数;2、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;3、温度对二极管特性的影响;4、二极管的主要参数----P8;4） PM-— 最大功耗： 保证二极管正常工作允许的最大功耗。 通常，大功率二极管一定要加散热片 5）RD—直流电阻;影响工作频率的原因 —;