chap1_part1_semiconductor-2014探究.ppt

固体材料;教材：电子课件 课件下载：学校课程网站;教 学 内 容; 概念、理论和性质 制备工艺 实际应用 了解和掌握这些知识，为今后的研究工作及新材料的开发与设计提供理论和实验技术基础。;第一章 半导体材料;导体 半导体 绝缘体　;1911年，考尼白格和维斯首次使用“半导体”这个名词，1947年由贝尔实验室总结出半导体的四个特性： 温度效应：电阻随温度的上升而降低 光生伏特效应：光照下产生电压 光电导效应：光照下电导增加 能作为器件的半导体材料，要求： 材料足够纯，材料能够被掺杂 ;主要内容;半导体材料的分类;元素半导体;化合物半导体　;半导体材料的结构;金刚石结构; 闪锌矿结构（立方硫化锌结构）; 闪锌矿结构;由两种原子分别组成六方结构晶格适当错位套构而成的，具有六方对称性，也具有四面体结构。 以ZnS为例，S2-位于整个六方柱大晶胞的各个角顶、底心、及由六方柱划分出的六个三方柱中的相间的三个三方柱的轴线上。Zn2+则位于各个三方柱的棱上及相间的三个三方柱之轴线上。相当于S2-构成简单六方紧密堆积，而Zn2+则填塞于半数的四面体间隙中，即每个原子均处于异种原子构成的正四面体中心，配位数均为4。;四面体共价键与轨道杂化;四面体共价键与轨道杂化;四面体共价键与轨道杂化;半导体材料的物理基础;能带结构;以Ge、Si、GaAs的能带为例。可以讨论三个方面： (1)带隙结构 直接带隙：导带底和价带顶位于k空间同一点。 间接带隙：导带底和价带顶位于k空间不同点。 具有这两种能带结构的材料分别称为直接跃迁型材料(如GaAs)和间接跃迁型材料(如Ge、Si)。两者在光吸收、发光、输运和复合等行为上有明显的区别。 如：发生光吸收或复合发光时，过程必须满足准动量守恒，对于间接跃迁型半导体，导带和价带之间光学跃迁时，需要声子参与，而对于直接跃迁型半导体，不需要声子参与，因此宜用直接跃迁型半导体制作发光器件和激光器件。;直接跃迁;(2) 导带结构 a)实验发现GaAs的导带底附近等能面形状为球面，Ge、Si的等能面为旋转椭球面。因此GaAs的许多性质(如电阻率、磁阻效应等)呈各向同性，可用标量表示, Ge、Si的许多性质呈各向异性。 b)如果导带极值不在k空间原点，按对称性的要求，必然存在若干个等价的能谷。具有多个能谷的半导体称为多能谷半导体，如Ge和Si是典型的多能谷半导体。 如果导带极值在k空间原点处，只有单个极值，称为单能谷半导体，如GaAs为单能谷半导体。;c) 多能量极值材料，转移电子效应 如：GaAs的导带在位于(100)方向的极值(子能谷)比位于k空间原点的极值(主能谷)高约0.36 eV，而且前者电子的有效质量较大，迁移率较低，施加强电场后，电子从原点极值转移到(100)方向极值处时，利用此特性GaAs可以制作转移电子器件。InP也是制作转移器件的好材料。; (3)价带结构 以Ge，Si和GaAs为例，价带分为三支，价带顶位于k原点处，两个较高的带在k原点处简并，分别对应重空穴带和轻空穴带，虽然它们的等能面呈“扭曲”的球面形状，仍可以用各向同性的有效质量分别描述在重、轻两个空穴带中的空穴运动。;载流子浓度; np = N- N+ exp [- (Ec-Ev)/kBT] = N- N+ exp [- Eg/kBT] Eg为禁带宽度。 注意：半导体材料的电子浓度和空穴浓度的乘积，只是温度的函数，而与EF位置无关，与掺杂无关。 例如：硅中掺砷掺得越多，即导带中电子越多，而价带中空穴将越少。 对于本征半导体，很容易得出本征载流子浓度 ni = n = p = (N- N+ )1/2 exp [- Eg/ 2kBT] 本征费米能级 Ei ? ? (Ec+Ev), 即近似位于带隙中央。ni 主要取决于Eg和温度。;半导体的电导率;迁 移 率;迁移率是与电子、空穴所受的散射作用有关的一个量，散射越强，载流子平均自由运动时间就越短，迁移率就越小；相反，迁移率就越大。 散射机制主要有两种： 1)晶格散射。;当同时有几种散射作用时，总的迁移率与各种迁移率关系为： 1/? = 1/ ?1 + 1/ ?2 + 1/ ?3 + …… 载流子迁移率受到掺杂浓度影响： 在一定温度下，晶体中杂质较少时，电离杂质散射影响小，载流子迁移率数值平稳。 掺杂浓度增加，电离杂质散射作用增强，载流子迁移率显著下降。;非平衡载流子;非平衡载流子的复合和寿命; 寿命是半导体材料最重要的参数之一，反映材料的质量。 不同的材料中非平衡载流子寿命不同： 锗（100-1000?s）、硅（50-500?s）、砷化镓（10-2-10-3?s） 材料中重金属杂质、晶体缺陷的存在、表面的性质