20032第三章探究.ppt

;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;第四步：源/漏极金属沉积及图形定义（第三道光罩）背沟道蚀刻去除N+ 型半导体层;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; 根据以上数据，可大致计算Cs面积和其电容值。对于一个次像素来说，Cs的面积记为Acs，则;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; 可视区完成后，TFT-LCD面板的90%面积就完成了。而在像素阵列之外的10％，还有很多的细节项目需要设计。主要包括扫描线和数据线布线、公共电极布线以及与外部连接的绑定方式布线。;;;;;;4、阵列测试设计 为了测试阵列中的不良，在液晶盒形成后需要对阵列进行加电测试，对每一行和每一列进行模拟加电，该测试是在未连接外部电路时进行。因此需要专门设计测试端子来进行，具体设计如图所示。;;; 本次设计中，因为绘图比例及数目缩减，就以图中尺寸来进行玻璃尺寸的确定。例图中显示区的尺寸为825.6mm和619.2mm。阵列外布线，测试端子??共电极布线、阵列下侧和右侧电路布线需保留在TFT玻璃基板上，将这些部分全部放置在下玻璃基板上，考虑留边区域，实际尺寸为946.54mm × 748.86mm。TFT基板制作完成后，上侧和左侧的抗静电部分去除，因此最终剩下的下玻璃基板尺寸为905.15mm × 714.23mm。对应的上玻璃基板要将测试端子、右侧和下侧引脚外漏，将共电极布线覆盖，因此上玻璃基板尺寸定为844.35mm × 645.55mm。位置关系如图所示。;;;;;;;;;;;;;;;色层的形成过程有多种方法，比如电著法、颜料分散法、染色法、印刷法、干膜转写、喷墨法等。;;;;;;具有Photo-Spacer的CF基板;;;;;;;;;;;;;;;;