InTexTraining探究.ppt

清洗制绒培训课件;太阳能电池生产流程; 硅片从切片工序到电池车间之间，要经历很多工序，在这些工序中，硅片的表面会附着部分的杂质和污物，这些杂质和污物会严重电池的性能，所以要对硅片进行表面清洗以去除这些杂质。;硅片在切割过程中会在表面形成大约10μm厚 的损伤层，这一层因为与硅片基体的状态已经 不同，基本上已经剥离于集体，会严重影响半 导体器件（太阳电池）的性能。清洗工序制绒 工艺就是利用硅片的这一层损伤层，通过硝酸 对其氧化制绒，形成高低不平的表面，大大增 加电池片表面的受光面积，减少反射，从而提 高太阳电池的转换效率。;晶体结构：金刚石结构（正四面体）;单晶硅;一 、半导体硅片的化学清洗技术 ;硅片表面沾污分类;有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。 　 ;C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类： 　 a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 　　; a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成 金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 　　b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表 面的金属离子，使之溶解于清洗液中。 　　c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。 ;以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术 ;为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。 SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除 在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。 ;1. SC-1清洗去除颗粒： ⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去 除部分金属杂质 ⑵ 去除颗粒的原理： 　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。 ;⑶. 去除金属杂质的原理： ① 由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。 ② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的==能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。 ③ Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液;二、RENA制绒;工艺目的：制绒就是利用硅片的损伤层，通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。在硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞，增加电池片表面的受光面积降低反射率，从而提高太阳电池的转换效率;Rena InTex工艺主要包括三部分： 硝酸+氢氟酸 　氢氧化钾 氢氟酸+盐酸  在制绒过程中，首先是硝酸在损伤层与缺陷处将硅片氧化，形成氧化硅，然后氢氟酸与氧化硅反应生长硅的络合物（H2SiF6）与水，这样去损伤层与制绒同时进行，从而缩短了工艺流程。??; 制绒之后的硅片经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，再经过DI水冲洗去掉表面残留的碱液。?? 最后利用HF与HCl的混合溶液除去硅片表面的各种金属离子等杂质，并用DI水冲洗酸性表面，最后用压缩空气将硅片表面吹干。;It produces three kind of gas, NO2、 NO and H2. when this gas forms bubbles, they intend to stick on the wafer and act as masks, then cause inhomogeneous texturing. So the texturing machine needs exhaust system;反应方程式简化如下：;RENA设备主体;;RENA设备机械手;Procedure of acidic texturing;Procedure of acidic texturing;腐蚀槽结构;上料→混合液HNO3、HF、DI腐蚀→风刀1→DI水冲洗→KOH腐蚀→风刀2→DI水冲洗→HCI、HF清洗