微电子器件(5-3)资料.ppt

5.3 MOSFET 的直流电流电压方程; 推导时采用如下假设; ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数；; 当在漏极上加 VD VS 后，产生漂移电流，;（5-37）; 当 VG VT 后，沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用，所以能带的弯曲程度几乎不再随 VG 增大 ，表面势 ?S 也几乎维持 ?S,inv 不变。于是，; 当外加 VD ( VS ) 后，沟道中将产生电势 V (y)，V (y) 随 y 而增加 ，从源极处的 V (0) = VS 增加到漏极处的 V (L) = VD 。这样 ?S,inv 、xd 与 QA 都成为 y 的函数，分别为; 下面对上式进行简化。; 将 Qn 中的 在 V = 0 处用级数展开，; 将此 Qn 代入式（5-37）的 ID 中，并经积分后得; 再将 写作 ，称为 MOSFET 的 增益因子，则; 此时所对应的漏极电流称为 饱和漏极电流 IDsat ，; 对于 P 沟道 MOSFET，可得到类似的结果，; 5、沟道中的电势和电场分布 ;式中，; 当 VDS = VDsat 时，η = 0，yeff = L ，沟道电势分布和沟道电场分布分别成为 ; 6、漏极电流的一级近似表达式 ;式中，; 5.3.2 饱和区的特性; 但是实测表明，当 VDS VDsat 后，ID 随 VDS 的增大而略有增大，也即 MOSFET 的增量输出电阻 不是无穷大而是一个有限的值。; 当 VDS VDsat 后，沟道中满足 V = VDsat 和 Qn = 0 的位置向左移动 ?L，即;L; VDS VDsat 后，可将 VDS 分为两部分，其中 VDsat 降在有效沟道长度 (L - ?L) 上，超过 VDsat 的部分 (VDS - VDsat ) 则降落在长度为 ?L 的耗尽区上。根据耗尽区宽度公式可计算出 ?L 为; 若用 I’Dsat 表示当 VDS VDsat 后的漏极电流，可得; 对于 L 较短及 NA 较小的 MOSFET，当 VDS VD sat 后，耗尽区宽度接近于有效沟道长度，这时从漏区发出的电力线有一部分终止于沟道上，使沟道电子的数量增多，从而导致电流增大。可以把此看作是在漏区与沟道之间存在一个电容 CdCT，当 VDS 增加 ?VDS 时，沟道区的电子电荷面密度的增量为