场效应器件物理1-4频率_5CMOS学案.pptVIP

场效应器件物理;10.4 频率特性 本节内容;*;*;*;*;10.4 频率特性 模型参数;10.4 频率特性 模型和模型参数特点;10.4 频率特性 模型和模型参数特点;10.4 频率特性 模型和模型参数特点;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;CMOS（Complentary 互补CMOS） n沟MOSFET与p沟MOSFET互补 实现低功耗、全电平摆幅 数字逻辑电路的首选工艺 ;10.5 开关特性 CMOS反相器;开关时间：输出相对于输入的时间延迟，包括导通时间ton和关断时间toff 载流子沟道输运时间，（本征延迟） 输出端对地电容的充放电时间。（负载延迟） 提高开关速度途径（降低开关时间）： 减小沟长L（L5um,开关速度由负载延迟决定） 减小对地总电容：引线电容、NOMS PMOS的DB间PN结电容等寄生电容 增加跨导，提高充放电电流。（跨导和I都正比于增益因子）;*;*;10.5 开关特性 版图;10.5 开关特性 MOSFET版图;*;10.5 开关特性 反相器版图;10.5 开关特性 CMOS与非门 ;10.5 开关特性 CMOS或非 ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;10.7 小结;MOSFET是一种表面性器件，工作电流延表面横向流动，所以器件特性强烈依赖于沟道表面尺寸W、L。L越小，截止频率和跨导越大，集成度越高。 FET仅多子参与导电，无少子存贮、扩散、复合效应（双极里讲过），开关速度高，适于高频高速工作 MOSFET的栅源间有绝缘介质，所以为电容性高输入阻抗，可用来存储信息。（存储电路，mosfet） Sb,db处于反偏（至少0偏），同一衬底上的多MOSFET可实现自隔离效果。 硅栅基本取代了铝栅，可实现自对准，减小器件尺寸，提高集成度。 ;MOSFET可以分为n沟道、p沟道，增强型、耗尽型。对于不同类型的MOSFET，栅源电压、漏源电压、阈值电压的极性不同。 特性曲线和特性函数是描述MOSFET电流-电压特性的主要方式。跨导和截止频率是表征MOSFET性质的两个最重要的参数。 根据MOSFET的转移特性（ID-VGS），可分为导通区和截止区；根据MOSFET的输出特性（ID-VDS），可分为线性区、非饱和区和饱和区。 影响MOSFET频率特性的因素有栅电容充放电时间和载流子沟道渡越时间，通常前者是决定MOSFET截止频率的主要限制因素。 CMOS技术使n沟MOSFET和p沟MOSFET的优势互补，但可能存在闩锁等不良效应。;MOS电容是MOSFET的核心。随表面势的不同，半导体表面可以处于堆积、平带、耗尽、本征、弱反型、强反型等状态。 MOSFET导通时工作在强反型状态 栅压、功函数差、氧化层电荷都会引起半导体表面能带的弯曲或表面势。 表面处于平带时的栅压为平带电压，使表面处于强反型的栅压为阈值电压。阈值电压与平带电压、半导体掺杂浓度、氧化层电荷、氧化层厚度等有关。 C-V曲线常用于表征MOS电容的性质，氧化层电荷使C-V曲线平移，界面陷阱使C-V曲线变缓 MOSFET根据栅压的变化可以处于导通（强反型）或者截止状态，故可用作开关；加在栅源上的信号电压的微小变化可以引起漏源电流的较大变化，故可用作放大。;10.1 MOS电容 场效应管通常有哪三个电极？作为放大管使用时，输入信号（或者控制信号）通常加在哪个极？输出信号（或者被控制信号）通常加在哪个极？ 在集成电路所采用的MOS结构中，M、O、S通常采用何种材料？ 什么叫半导体的表面势？有哪些原因可能引起半导体的表面势？ 改变MOS电容二端的电压时，半导体表面可能会处于哪几种状态？ 请说明平带电压和阈值电压的区别。;*;重要术语解释;重要术语解释;知识点;复习题;END