p阱薄膜工艺学案.docVIP

PAGE \* MERGEFORMAT20 p阱CMOS芯片制作工艺设计 目录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc392183407 一．设计参数要求  PAGEREF _Toc392183407 \h 2  HYPERLINK \l _Toc392183408 二． 设计内容  PAGEREF _Toc392183408 \h 3  HYPERLINK \l _Toc392183409 1：PMOS管的器件特性参数设计计算。  PAGEREF _Toc392183409 \h 3  HYPERLINK \l _Toc392183410 2：NMOS管参数设计与计算。  PAGEREF _Toc392183410 \h 4  HYPERLINK \l _Toc392183411 3： p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案；  PAGEREF _Toc392183411 \h 5  HYPERLINK \l _Toc392183412 工艺流程  PAGEREF _Toc392183412 \h 5  HYPERLINK \l _Toc392183414 4．光刻工艺及流程图(典型接触式曝光工艺流程为例)  PAGEREF _Toc392183414 \h 10  HYPERLINK \l _Toc392183416 5： 薄膜加工工艺参数计算；  PAGEREF _Toc392183416 \h 12  HYPERLINK \l _Toc392183417  工艺计算  PAGEREF _Toc392183417 \h 12  HYPERLINK \l _Toc392183418 ② 工艺计算  PAGEREF _Toc392183418 \h 13  HYPERLINK \l _Toc392183419 ③ 工艺计算  PAGEREF _Toc392183419 \h 13  HYPERLINK \l _Toc392183420 三：工艺实施方案  PAGEREF _Toc392183420 \h 14  HYPERLINK \l _Toc392183421 四、参考资料  PAGEREF _Toc392183421 \h 18  HYPERLINK \l _Toc392183422 五：心得体会  PAGEREF _Toc392183422 \h 19  一．设计参数要求 1. 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥25V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn=600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS=≥25V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp=220cm2/V·s） 2. 结构参数参考值： N型硅衬底的电阻率为20??cm；垫氧化层厚度约为600 ?；氮化硅膜厚约为1000 ?； P阱掺杂后的方块电阻为3300?/?，结深为5~6?m； NMOS管的源、漏区磷掺杂后的方块电阻为25?/?，结深为0.3~0.5?m； PMOS管的源、漏区硼掺杂后的方块电阻为25?/?，结深为0.3~0.5?m； 场氧化层厚度为1?m；栅氧化层厚度为500 ?；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 ?。 设计内容 1：PMOS管的器件特性参数设计计算. 由得? ,则 得 再由，式中（VGS-VT）≥VDS(sat)，得 又，得 阈值电压 取发现当时符合要求,又得 2：NMOS管参数设计与计算。 因为,其中，6×， 所以? 饱和电流：，式中（VGS-VT）≥VDS(sat)， IDsat≥1mA 故可得宽长比： 由可得宽长比： 取nmos衬底浓度为查出功函数差与掺杂浓度的关系可知： 取发现当时；符合要求又可知 故取 3： p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案； 工艺流程 1：衬底制备。 由于NMOS管是直接在衬底上形成，所以为防止表面反型，掺杂浓度一般高于阈值电压所要求的浓度值，其后还要通过硼离子注入来调节。CMOS器