第1章电力电子器件改学案.ppt

电力电子器件; 电子电路的基础;电力电子器件的概述;电力电子器件的概念和特征;3. 同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征：;主 要 损 耗;应用电力电子器件的系统组成;控制电路按系统的工作要求形成控制信号，通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的通或断，来完成整个系统的功能。 还包括检测电路等主电路之外的所有电路。;由于主电路中往往有电压和电流的过冲，而电力电子器件一般比主电路中普通的元器件要昂贵，但承受过电压和过电流的能力却要差一些，因此，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行，也往往是非常必要的。;电力电子器件的分类; 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：;本章内容和学习要点;不可控器件—电力二极管; Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。 快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。;PN结与电力二极管的工作原理 ;N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。;PN结的正向导通状态 PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。 PN结的反向截止状态 PN结的单向导电性。 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。 PN结的反向击穿 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿。 PN结的电容效应： PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD 。;势垒电容只在外加电压变化时才起作用。外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正比，与阻挡层厚度成反比。;电力二极管的基本特性;2. 动态特性;电力二极管的基本特性;电力二极管的基本特性;电力二极管的主要参数;2. 正向压降UF 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降 有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时器件的最大瞬时正向压降;4. 最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。;电力二极管的主要类型;2. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）;3. 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒 二极管（Schottky Barrier Diode——SBD），简称为肖特基二极管 20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用;半控器件—晶闸管;1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位;晶闸管的结构与工作原理; Ic1=?1 IA + ICBO1 （1-1） Ic2=?2 IK + ICBO2 （1-2） IK=IA+IG （1-3） IA=Ic1+Ic2 （1-4） ;晶体管的特性是：在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 ;其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。;晶闸管的基本特性;晶闸管的伏安特性 ;2. 动态特性;1) 开通过程;2) 关断过程 反向阻断恢复时间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间;1. 电压定额;2. 电流定额;晶闸管的主要参数;晶闸管的派生器件;2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor）;3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT）;4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）;典型全控型器件; 全控型电