第2章+半导体器件学案.ppt

第 2 章半导体器件;这一章，我们要讨论什么?;历史简述;半导体基础知识 ;半导体材料;本征半导体;杂质半导体;杂质半导体中的载流子浓度;载流子的运动;PN结;耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区 空间电荷形成内建电场 内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动;PN结的势垒高度;正向偏置的PN结 ;反向偏置的PN结 ;PN结的伏安特性 ;PN结的伏安特性的特点;PN结的击穿特性 ;雪崩击穿;齐纳击穿;PN结的扩散电容;PN结的势垒电容;半导体二极管;二极管的结构与电路符号;二极管的伏安特性;理想二极管模型;理想二极管模型的应用;半波整流电路的平均输出电压;带导通阈值的理想二极管模型 ;考虑二极管导通阈值的半波整流电路;二极管工作于交流小信号情况;交流小信号线性近似模型 ;应用小信号近似模型的注意点;二极管的主要特性参数 ;部分半导体二极管实物图片;二极管应用电路之一;带电容滤波的桥式整流电路;二极管应用电路之二;二极管应用电路之三;稳压二极管;工作在反向击穿状态下的稳压二极管的等效电路;稳压管电路估算的例子(1);;Vi = 16V 时，流过稳压管的电流 ID＝19.8mA ;稳压电路的性能指标(1);稳压管电路估算的例子(2);将 RL = 600Ω 和 1200Ω 代入上式，Vo=6.040V 和6.065V 所以 DVO ＝ 25(mV) 负载电流分别为 IRL1 = 6.040/600 ≈10mA，IRL2 = 6.065/1200 ≈ 5mA 负载电流变化 5mA，电压变化 25mV;稳压电路的性能指标(2);发光二极管;部分发光二极管实物图片;双极型晶体管;晶体管的结构 ;晶体管的结构 ;晶体管的电流传输过程 ;晶体管正向偏置下的电流关系 ;晶体管共发射极伏安特性 ;晶体管共发射极伏安特性;晶体管输出特性的3个区域;晶体管的放大作用;晶体管的开关作用;晶体管等效模型;晶体管直流与交流大信号模型;根据大信号模型得到晶体管的转移特性;根据直流模型计算晶体管直流工作点;晶体管直流工作点计算的例2;晶体管直流工作点计算的例3;晶体管低频交流小信号模型 ;晶体管共基极交流模型;共基极交流模型参数的计算;晶体管共发射极交流模型;共发射极交流模型参数的计算;直流项 线性项 非线性项;晶体管模型的进一步讨论;考虑晶体管基区宽度调制??应 ;考虑基区调宽效应的共射模型;高频混合p 模型;晶体管b 随频率变化的规律;截止频率与特征频率;晶体管的主要特性参数(1) ;晶体管的主要特性参数(2);部分晶体管实物图片;场效应晶体管 ;绝缘栅场效应管结构;在没有加电压时，由于S和D之间相当于两个背靠背的二极管，所以不可能导通;栅极加上正电压，栅极下面的衬底中感应出自由电子，与P型材料中空穴复合后形成耗尽区，S与D之间仍然没有导通 ;加大栅极电压，当增加到某一个阈值电压VTH 后，栅极下面的衬底中形成反型层（N型），从而形成导电沟道 ;进一步加大栅极电压，导电沟道开始加深 由于导电沟道是N型的，所以称为N沟道场效应管 由于导电沟道是由栅极加上一定电压以后产生的，所以称为增强型MOS场效应管(E-MOSFET) ;VDS=0，导电沟道是均匀的，此时漏极与源极之间的沟道类似一个阻值很小的电阻;VDS 0，流过漏极的电流随VDS的增加而增加，但是由于栅极与漏极附近的电位差下降，导致导电沟道开始倾斜，漏源之间的电阻开始增加;VDS进一步增加，当栅极与漏极之间的电位差等于导通阈值时，漏极附近的导电沟道深度接近于0，漏源之间的电阻几乎达到最大值;VDS 继续增加，由于电流连续性，沟道不会夹断，但漏极附近的导电窄缝变长，流过漏极的电流几乎不再增加（接近恒流）;E-MOS场效应管的输出特性 ;场效应管在截止区和可变电阻区的特性;场效应管在恒流区的特性;场效应管的直流与大信号模型;计算场效应管工作点的例1;注意：在实际计算中最后要核实电路确实工作在恒流区，否则上述计算无效;计算场效应管工作点的例2;分析：由于场效应管无栅极电流，所以 RG3 无压降;解此二次方程得：;场效应管的交流小信号模型;对转移特性求导（切线斜率），并记为gm 对交流信号有 漏极电流可用压控电流源（线性电流源）等效 沟道长度调制效应可以用电阻rds等效 等效模型：;场效应管小信号线性化近似的条件 ;场效应管的高频小信号模型;p沟道增强型场效应管;两种不同沟道场效应管的异同;耗尽型MOS场效应管(D-MOS);D-MOS场效应管的输出特性;D-MOS场效应管的转移特性;结型场效应管(JFET);JFET的转移特性;不同类型的场效应管的比较;静态工作点的区别;FET与BJT的比较;FET的输出特性;传输特性的比较 FET：