第2章微电子概论IC制造学案.ppt

第2章 IC制造材料 ;2.1 集成电路材料;;;最基本的材料;2.1.1 硅（Si） ;2.1.2 砷化镓（GaAs） ;2.1.3 磷化铟（InP） ;2.1.4 绝缘材料;2.1.4 绝缘材料;2.1.5 金属材料;2.1.5 金属材料; 器件互连材料包括 金属，合金，多晶硅，金属硅化物 铝，铬，钛，钼(mu)，铊(ta)，钨等纯金属薄层在VLSI制造中正逐步引起人们的兴趣。这是由于这些金属及合金有着独特的属性。如对Si及绝缘材料有良好的附着力，高电导率，可塑性，容易制造，并容易与外部连线相连。 纯金属薄层用于制作与工作区的连线，器件间的互联线、栅极电容、电感传输线的电极等。;铝（Al）;铝合金;铜(Cu）;两层与多层金属布线;0.35um CMOS工艺的多层互联线;IC设计与金属布线;2.1.6 多晶硅 ;多晶硅的制造技术;2.1.7 材料系统 ;半导体材料系统 ;半导体/绝缘体材料系统 ; ; 固体材料分为两类：晶体和非晶体。 晶体：从外观看晶体有对称的几何外形，微观上原子或离子在空间中呈现出有规则的周期性排列。 晶体的性质与这种内在的周期性有关。 内在的周期性导致电子共有化运动。;;晶 格;电子共有化;电子共有化与能带形成;2.2.2 能带形成（的另一种解释）;孤立氢原子中电子在核外空间某处单位体积内出现的概率;当大量相同原子靠近并按照周期性排列后，它们相互作用并形成周期势场，导致能级发生分裂。;能带;能带的一般规律;原子的壳层结构;原子的壳层结构;原子的壳层结构;元素的电子组态;两个原子的情况;能带中电子的排布;原子内各主壳层和分壳层上可容纳的最多电子数 ;（a）导带部分填充情况 （b）导带为空带价带为满带，且禁带较窄的情况 ;满带 能带中各能级都被电子填满。通常发生在内层能带（电子能量较低）。满带中的电子不能起导电作用。 价带 共价电子所在能级分裂后形成的能带。在半导体中，价带就是能带最高的满带。理想情况下，在价带之上能带是空的，没有电子 ，在价带之下的能带则是全部填满的。 导带 电子部分填充的能带。对半导体而言，导带则是紧邻价带的那个“空带”。导带中的电子容易在外场下运动而形成电流，所以称为导带。;空带 所有能级均未被电子填充的能带。由原子的激发态能级分裂而成，正常情况下是空的。当有激发因素（热激发、光激发等）时，价带中的电子能够被激发进入空带。在外电场作用下，这些电子的转移同样可以形成电流。所以，空带也是导带的一种。 禁带 在能带之间的能量间隙区，由于量子力学限制电子不能填充，这段能级区域称为禁带。导带和价带之间的禁带宽度对晶体的导电性有重要的作用。禁带不是一定存在的，如果上下能带重叠，其间的禁带就不存在 。;2.2.3 导体、绝缘体和半导体的能带结构;良导体;半金属;绝缘体;半导体;能 隙;绝缘体与半导体的击穿;2.2.4 本征半导体与杂质半导体;满带 (价带);导带;电子和空穴都参与导电。 价带中的电子获得能量，越过禁带，跃迁到导带，成为自由电子。同时，在价带中留下相同数量的空穴。我们将这种激发产生的跃迁过程称为半导体的本征激发，所产生的自由电子和空穴称为本征载流子。 本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。 仅仅有本征激发的半导体是本征半导体。 事实上，当半导体中仅有少量缺陷和杂质，但半导体中电子和空穴主要是由本征激发产生时，我们也称之为本征半导体。;杂质半导体;P型半导体;P型半导体 空穴——是多数载流子——多子 电子——是少数载流子——少子; P型半导体中的能带 ;N型半导体;N型半导体 电子——是多数载流子——多子 空穴——是少数载流子——少子; N型半导体中的能带 ;2.1 集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理;2.3.1 PN结的扩散与漂移;扩散运动; 在耗尽区中正负离子形成了一个电场ε，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区的。这个电场一方面阻止扩散运动的继续进行，另一方面，将产生漂移运动，即进入空间电荷区的空穴在内建电场ε作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。漂移运动和扩散运动方向相反。动态平衡时，扩散电流和漂移电流大小相等、方向相反，流过PN结的总电流为零。;内建场阻止电子和空穴进一步扩散 内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。 在ｐ型 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为PN结;P-N结处存在电势差Uo;考虑到P-Ｎ结的存在，在讨论半导体中电子的能量时候应考虑进这内建场带来的电子附加势能。;2.3.2 PN结型二极管;PN结电学特性;正向偏压; 从