第5章集成电路元器件及其SPICE模型学案.ppt

集成电路设计技术与工具 ;基本要求;内容提要;5.1 引 言; 在设计电路的时候需要非常准确地预测出电路的性能。为了做到这一点，需要对电路尽可能地进行精确的性能分析（Analysis）。因为集成电路元器件无法用实物构建，必须首先建立器件模型，然后对用这些元器件模型所设计的集成电路进行以分析计算为基础的电路仿真（Simulation）。; 在集成电路的晶体管级仿真方面，SPICE是主要的电路仿真程序，并已成为工业标准。因此，集成电路设计工程师，特别是模拟和数字混合信号集成电路设计工程师必须掌握SPICE的应用。 本章首先讨论集成元器件的SPICE等效电路模型和模型的主要参数。;5.2 集成无源器件及其SPICE模型 ;一、集成电阻;与标准集成电路工艺技术兼容的制造电阻的方法很多，但阻值和精度不同。 常见的集成电阻有： 多晶硅电阻、掺杂半导体电阻、N阱（或P阱）电阻、和合金电阻等。;1）多晶硅电阻;掺杂半导体具有电阻特性，且不同的掺杂浓度具有不同的电阻率。 根据掺杂方式：扩散电阻和离子注入电阻。 扩散电阻是指对半导体进行热扩散掺杂而形成的电阻：工艺简单（优点）；精度差（缺点）。 离子注入电阻结构与扩散电阻类似，精度高。; ;集成电阻的类型;集成电阻的几何图形设计 ;选择电阻形状的依据：;2）几何尺寸设计;集成电阻的阻值计算 ;表5.1 0.5~1.0?m MOS工艺中 导电层材料的典型方块电阻值 （单位:Ω/口）;不同电阻条宽和端头形状的端头修正因子 ;电阻温度系数 ;集成电阻的高频双端口等效电路;（a）物理结构剖面图 ;有源电阻 ; 栅极加偏置的NMOS有源电阻及其电流-电压曲线 ;几种MOS有源电阻的连接形式 ;二、集成电容器 ;平板电容 ;制作在砷化镓半绝缘衬底上的MIM电容结构 ;平板电容计算公式：;电容高频等效模型 ;金属叉指结构电容 ;PN结电容 ; MOS结构电容 ;（a）物理结构 ;三、集成电感;单匝线圈电感版图 ;多匝线圈的实物照片 ;传输线电感;四、分布参数元件;微带线;微带线设计;共面波导(CPWCPW的阻抗);CPW的优缺点;5.3 二极管及其SPICE模型;二极管等效电路模型;参数名;二极管的噪声模型 ;5.4 双极型晶体管及其SPICE模型;一、双极型晶体管的EM模型 ; 尽管NPN（或PNP）晶体管可以设想为在两个N（或P）沟道层之间夹着一个P（或N）型区的对称型三层结构。 然而，根据第4章介绍的双极型晶体管版图可知，NPN（或PNP）晶体管的集电区与发射区的形状及掺杂浓度都不一样，从而导致了αR与αF的巨大差别，因此这两个电极不能互换。;EM2模型; EM小信号等效电路 ;参数名;二、双极型晶体管的GP模型 ;GP直流模型;GP小信号模型;5.5 MOS场效应晶体管及其SPICE模型; 一、MOS场效应晶体管模型发展 ; Level=1 Shichman-Hodges Level=2 基于几何图形的分析模型 Grove-Frohman Model (SPICE 2G) Level=3 半经验短沟道模型 (SPICE 2G) Level=49 BSIM3V3?BSIM, 3rd, Version 3 Level=50 Philips MOS9;1）LEVEL＝1 级别为1的MOS管模型又称MOS1模型，这是最简单的模型，适用于手工计算。MOS1模型是MOS晶体管的一阶模型，描述了MOS管电流?电压的平方率特性，考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应，适用于精度要求不高的长沟道MOS晶体管。 当MOS器件的栅长和栅宽大于10μm、衬底掺杂低，而我们又需要一个简单的模型时，那么由Shichman和Hodges提出的MOS1模型是适合的。 ;2）LEVEL＝2 LEVEL＝2的MOS2模型在MOS1模型基础上考 虑了一些二阶效应，提出了短沟道或窄沟道MOS 管的模型，又被称为二维解析模型。 MOS2模型考虑的二阶效应主要包括： （1）沟道长度对阈值电压的影响 （2）漏栅静电反馈效应对阈值电压的影响 （3）沟道宽度对阈值电压的影响 （4）迁移率随表面电场的变化 （5）沟道夹断引起的沟道长度调制效应 （6）载流子漂移速度限制而引起的电流饱和效应;3）LEVEL＝3 即MOS3模型。MOS3模型是一个半经验模型， 适用于短沟道器件。MOS3模型中的阈值电压、 饱和电流、沟道调制效应和漏源电流表达式等都 是半经验公式，其模型参数大多与MOS2模型相 同，但引入了三个新的模型参数：模拟静电反馈 效应的经验模型参数η（EAT）、迁移率调制系 数θ（THETA）和饱和电场系数κ(KAPP