倒装式焊接的甚高频基频AT切谐振器.doc

PAGE  PAGE 6 倒装式焊接的甚高频基频AT切谐振器 摘 要: 我们采用将倒放的晶片用金凸点连接到陶瓷外壳上的倒装焊接方式使甚高频（VHF）基频谐振器小型化。新型谐振器的尺寸为：3.8mm长×3.8mm宽×0.9mm高。谐振器的容积是导线焊接的普通谐振器的1/4，而且，我们观察到有10μm厚振动区的155MHz谐振器具有高稳定性，不受焊接造成的应力和污染的影响。所以，在频率-温度特性方面，从-40oC到+85oC的温度循环中滞后误差小于或等于1ppm，在+85oC的环境温度下的加速老化特性中，6000小时内频率漂移小于1ppm。 简介 在本论文中，我们探讨了适合于高频基频（HFF）AT切谐振器中具有较高频率的谐振器的装配结构，主要是小型化和焊接方式。 小型化不仅要求减小印制电路板上的安装面积，而且要求通过减小外壳电容来提高品质因数（=2πfs·C0·R1）-1（其中fs是串联谐振频率，C0是等效并联电容，R1为等效串联电阻）。表面安装陶瓷外壳是适合小型化的一种外壳，通常的做法是用导电胶把晶片直接连接在陶瓷基片上，这种没有支架的安装结构能降低陶瓷外壳的高度。 焊接方式和频率-温度特性及老化是密切相关的，这是因为AT切谐振器的谐振频率受外力和污染的影响而发生变化，特别是有着薄振动区的高频基频谐振器不允许存在导电胶引起的焊接应力及漏气现象。 已经被开发出用于使半导体元件小型化的倒装式焊接，能够解决上述两个问题。在倒装式焊接中，不使用粘合剂，而是利用用作声表面波（SAW）器件与表面安装陶瓷外壳的连接物的金凸点来焊接的。 我们曾把下面的一些倒装式焊接方法应用到表面安装陶瓷封装的高频基频（HFF）谐振器（或单片滤波器）上。一种是采用导电胶来粘接使其小型化，另一种是为了减小应力而用带有一根铝线的金凸点来焊接。但是，这些焊接方法不能同时解决安装结构的所有问题。因此，我们对安装结构进行研究，以达到最充分地利用倒装焊接方法的目的。在安装结构中，仅用金凸点将石英片直接连接到陶瓷基片上。 首先，我们用图解举例说明新型高频基频谐振器的安装结构，对其加工工艺作解释。其次，我们给出了这种结构的155MHz高频基频谐振器的各种特性曲线，我们根据被称为“热滞后”的频率-温度特性的滞后现象，在石英片上选择合适的焊接位置。通过对该谐振器与用硬或软的导电胶连接的谐振器的老化特性的比较，我们证实了用金凸点焊接方式的优点。我们还把谐振器装到振荡器上，通过循环试验、冲击试验和长期稳定性试验，验证了谐振器的可靠性。另外，通过表面层分析也证明了谐振器在老化特性方面的优点：用微型罗曼分光仪估算石英片的残余应力，用扫描电子显微镜显示了电极上的污点。 高频基频谐振器的结构 高频基频谐振器的安装结构如图1所示。在该结构中石英片通过金凸点固定在陶瓷外壳上，陶瓷外壳顶部用盖密封。 陶瓷外壳的外形尺寸为3.8mm长×3.8mm宽×0.9mm高（包括盖的高度）。该陶瓷外壳的容积是用带有铝线的金凸点固定的普通谐振器的1/4。陶瓷外壳的电容是0.4fF，是普通谐振器的4/7。小型化是去掉线焊接空间的结果。 支撑石英片的悬臂降低了因石英片与陶瓷外壳的热膨胀系数的不同而造成的热应力。石英片的支撑方向是沿着X晶轴方向，不受因弯矩引起频率变化的影响。 高频基频石英片的结构如图2所示。该石英片有两个附在AT切晶片的两个面上的电极，并装有金凸点。 图1.高频基频谐振器示意原理图。上：平面图；下：A-A剖面图。 图2.高频基频石英片示意原理图。上：倒置台面图；下：平面 AT切石英片有一形成薄振动区的倒置台面结构，该薄振动区能被激励到高频基频振荡模式，该模式激起谐振频率与石英片厚度成反比的沿厚度方向的振动。155MHz的谐振频率，振动区厚度约为10μm(Y)。 一对激励电极包括AT切石英片倒置台面上的一个椭圆形电极和正面上的一个覆盖振动区的矩形电极。两个焊盘通过引线电极也与激励电极相连。平面上的引线电极穿过位于石英片边上的通孔连接到焊盘。 每个焊盘有3个沿X晶轴排列的金凸点，两个焊盘上的对应金凸点之间的距离d为500μm，每个金凸点的直径为100μm。所以，6个金凸点所占的焊区约为0.05mm2， 是用导电胶时所占焊区的1/5，因此，金凸点是局部连接石英片与陶瓷外壳的。 加工工艺 高频基频谐振器的加工工艺如图3所示。从薄振动区到金凸点由一间歇加工过程完成。该加工过程采用与在半导体元件和声表面波（SAW）器件中的倒装焊同样的工序。 AT切石英片上的薄振区和通孔由真空蒸发、双面照射光刻及湿化学侵蚀而加工成形。激励电极、引线电极和焊盘由真空蒸发镀膜而成。该膜层由作为主层的金层和作为中间层的铬层构成，另外，焊盘通过喷镀银层加固。金凸点由金丝用凸块焊接器做成。 分选出的石