原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数; 定义：基区中到达集电结的少子电流 IpC 与从发射区注入基区的少子形成的电流 IpE 之比， 称为 基区输运系数，记为 ，即：; 以下用 pB 代表基区非平衡少子浓度 ? pn 。; ?b 代表少子在基区停留的平均时间。?B 代表少子寿命， 代表少子在单位时间内的复合几率，因而 就代表少子在基区停留期间被复合的几率，而 则代表未复合掉的比例 ，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流之比。; 式中， 即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损，应使 WB↓，LB↑。; 注意 ?b 与 ?B 的区别; 3.2.3 发射结注入效率; 当 WB LB 及 WE LE 时，; 将 代入 中，得：; 利用 方块电阻 的概念， 可有更简单的表达式。方块电阻代表一个正方形薄层材料的电阻，记为 R口 。; 对于均匀掺杂的发射区与基区，; 3.2.4 电流放大系数; 由 的关系，可得：
文档评论（0）