a_Si_H薄膜的的表面光电压谱和光电化学特性研究.pdfVIP

下载本文档

4
0
约9.01千字
约 3页
2017-05-04 发布于湖北
举报
版权申诉

a_Si_H薄膜的的表面光电压谱和光电化学特性研究.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

a_Si_H薄膜的的表面光电压谱和光电化学特性研究

3 2 2 2 2 2 3 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 ? ? 2 2 ?2 ? 第 19 卷, 第 5 期光　谱　实　验　室 V ol. 1 9 , N o. 5 2 0 0 2 年 9 月 Chinese J ournal of S p ectroscop y L aboratory Sep tember, 2 0 0 2 a-Si: H 薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究① 2 2 崔　毅②　王宝辉　张　力 (内蒙古民族大学化学系　内??古通辽市　028043) (大庆石油学院化学化工学院　黑龙江省安达市　151400) 摘　　要　　采用表面光电压谱和光电化学方法, 对不同掺杂类型的氢化非晶硅 (a Si: H ) 薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究, 测定了 a Si: H 薄膜的能带结构, 为 a Si: H 薄膜在太阳能电池上的应用提供了有用的基础数据和简单光伏测量方法。关键词　氢化非晶硅, 表面光电压谱, 光电化学。中图分类号: O 433. 5+ 9　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 1004 8138 (2002) 05 0620 03 1　引言氢化非晶硅 (H ydrogenated Amorphous Silicon, 简称 a Si: H ) 是当前半导体材料和器件的研究重点和核心。随着 a Si: H 半导体材料在太阳能电池上的应用, 人们采用 a Si: H 作为光电极, 组成光电化学电池, 进行一些探索性的工作[1, 2 ] , 认为 a Si: H 在非水溶液中适合作为光电极, 并且有一定转换效率和稳定性。但是远达不到实用阶段, 因为有诸多问题需要解决。所以对此类材料的研究是十分必要的。本文采用表面光电压谱 (SPS) 和光电化学方法 (PEC) , 对不同掺杂类型的氢化非晶硅 (a Si: H ) 薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究, 测定了 a Si: H 薄膜的能带结构。这将有助于对 a Si: H 薄膜的进一步了解, 为 a Si: H 薄膜在太阳能电池上的应用, 提供一些有用的基础数据。 2　实验部分 2. 1　氢化非晶硅薄膜的制备采用辉光放电沉积法制备 a Si: H 薄膜, 结构为 a Si: H TCO Glass(TCO , 透明导电玻璃) , 实验上所用的薄膜有 3 种, 为 p in 太阳能电池的 3 个主要层, 他们分别为硼掺杂的 p 型、磷掺杂的