ICP电感耦合缘沫子发射光谱.ppt

  1. 1、本文档共16页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
ICP电感耦合缘沫子发射光谱

ICP 电感耦合等离子体原子发射光谱仪 ;目录;原子发射光谱的原理;原子发射光谱的光源;ICP光谱仪原理;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;试样进样系统;等离子体矩管 ; 电磁场 感应线圈一般以圆铜管或方铜管绕成的2-5匝水冷线圈 ; 功能: 能量传递给等离子气体 频率:27.12 MHz ,40.68MHz 最短的预热时间 (~ 15-20 min.) 功率范围: 700 W - 1700 W ; 气体流量的作用 ;;电磁谱 ;;1 CCD器件结构 它是以电荷作为信号,通过电荷的存储和转移,来实现信号的存储和转移,这是它的突出特点。因此,CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。以下分别说明。 作为CCD的基本单元MOS电容器的 结构如图1所示。在硅片上通过氧 化生成一层SiO2为绝缘层(0.1μm),再 蒸镀一层小面积金属作为电极,称栅 极,半导体硅(以P型硅为例)作为底 电极,又称衬底。(电容器间隔1μm) 图1 MOS电容器结构示意图; 半导体物理学知识告诉我们,热或光的激发可在半导体内产生电子-空穴对,故半导体载流子有带负电荷的电子,也有带正电荷的空穴。P型半导体里空穴浓度高,为多数载流子,电子浓度少,为少数载流子,N型半导体则相反。 当外界有光信号射入到MOS电容器的P型半导体内时,会产生电子-空穴对,光越强,电子-空穴对越多,这样光的强弱就与电子-空穴对的数量对应起来,信号电荷产生了,光信号就转换为电信号。

文档评论(0)

ahuihuang1 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档