全透明InGaZnO薄膜晶体管.docVIP

全透明InGaZnO薄膜晶体管 ， ７ 【卜一飞７■～■’．，’ｒｐＦｕｌｌｙＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＩｎＧａＺｎ０４ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｂｙＪｉａｎｇＪｉｅＢ．Ｅ．（ＨｕｎａｎＵｎｉＶｅｒｓｉｔｙ）２００７ＡｔｈｅｓｉｓｓｕｂｍｉｔｔｅｄｉｎｐａｒｔｉａｌｓａｔｉｓｆａｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅＲｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓｆｏｒｔｈｅｄｅｇｒｅｅｏｆＭａｓｔｅｒｏｆＳｃｉｅｎｃｅＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓａｎｄＳｏｌｉｄ．ＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｉｎｔｈｅＧｒａｄｕａｔｅＳｃｈｏｏｌｏｆＨｕｎａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＳｕｐｅｒｖｉｓｏｒＰｒｏｆｅｓｓｏｒＹａｎＹｏｎｇｈｏｎｇＮｏｖｅｍｂｅｒ，２００９ ｒ ■， 一 一 ●●＾ 湖南大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 作者签名：移．赉日期：＆柙年，２月２日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权湖南大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 １、保密口，在年解密后适用本授权书。 ２、不保密团。 （请在以上相应方框内打“１Ｊ”） 作者签名：亳盎．日期：ｄｏ０７年，五月２日导师签名：纱嗍知７年ｆ≯月≯日 ， ●‘， 伞透明ＩｎＧａＺｎＯ。薄膜晶体管 摘要 近年来，由于透明薄膜晶体管具有高迁移率（大于１０ｃｍ２／Ｖｓ）、低温工艺、能大面积生产、低成本等优点，已经引起了广泛的研究兴趣。而在这众多的透明氧化物半导体中，ＩｎＧａＺｎ０４因为作为沟道层而具有非常平整的结构、光滑的表面、．即使在室温下沉积的非晶薄膜也具有较高的迁移率（大于１０ｃｍ２／Ｖｓ）而受到广泛 的关注。?? 本文中，我们在玻璃衬底上室温条件下制备了透明ＩｎＧａＺｎ０４沟道薄膜晶体管。首先，在玻璃衬底上采用射频磁控溅射法沉积１５０ｎｍ的氧化铟锡（ＩＴＯ）作为栅级。然后，利用等离子增强化学气相沉积法（以硅烷和氧气为原料气体）沉积４ｐｍ的二氧化硅作为栅介质。其次，用射频磁控溅射法沉积５０ｎｍ的ＩｎＧａＺｎ０４薄膜作为沟道。最后，采用直流溅射法沉积２００ｎｍ的ＩＴＯ作为源漏电极。所有的镀膜工艺均是在室温下。沟道和源漏电极的图案成型是通过镍掩膜板。晶体管的长度和宽度分别是８０｝ｔｍ和１０００ｐｍ。器件的电学特性通过Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００半导体参数分析仪在室温黑暗环境下测试。ＩｎＧａＺｎ０４栅介质的电容．频率特性通过Ａｇｉｌｅｎｔ４２９４Ａ阻抗分析仪基于ＩＴＯ／Ｓｉ０２／Ａ１三明治测试结构。薄膜晶体管的透光率用７５４ＰＣ紫外可见光光度计在可见光波长范围２００到１０００ｎｍ内完成测试。测试结果表明：栅介质的单位面积电容为１．６Ｉ．ｔＦ／ｃｍ２，场效应迁移率、亚阈值摆幅、开关比分别为４０．６ｅｍ２Ｖ。１ｓ～、１０３ｍＶ／ｄｅｅａｄｅ、２．１ｘ１０６，同时，器件的工作电压仅为１．５Ｖ。器件在可见光波长范围（４００—７００ｎｍ）ｌ内的透光率约为８０％，表明我们制备的ＩｎＧａＺｎ０４沟道薄膜晶体管是全透明的晶体管。 上述结果表明，我们采用室温工艺研制的全透明ＩｎＧａＺｎ０４薄膜晶体管在下一代高性能低功耗、透明电子学领域具有潜在应用价值。 关键词：薄膜晶体管；透明电子学；氧化物半导体；ＩｎＧａＺｎ０４；射频磁控溅射； 等离子增强化学气相沉积Ｉｌ ， —————————————————————————————————————————一一 Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｒｅｃｅｎｔｌｙ，ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｏｘｉｄｅ?ｂａｓｅｄｔｈｉｎ—ｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＴＦＴｓ）ｈａｖｅａｔｔｒａｃｔｅｄｍｕｃｈａｔｔｅｎｔｉｏｎｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｉｒｈｉｇｈｅｌｅｃｔｒｏｎｍｏｂｉｌｉｔｉｅｓ（＞ｌＯｃｍ２／Ｖｓ）ａｎｄｂｅｃａｕｓｅｔｈｅｙｃａｎｂｅｐｒｏｃｅｓｓｅｄａｔｌｏｗｔｅｒｎｐｅｒａｔｕｒｅｓｔｏｐｒｏｄｕｃｅｌａｒｇｅ—ａｒｅａｄｉｓｐｌａｙｓｗｉｔｈｔｈｅｐｏｔｅｎｔｉａｌｏｆ