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无结场效应管 第３６卷　第３期２０１６年６月 　 固体电子学研究与进展 Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．３ ，Ｊｕｎ．２０１６ 檸殠 檸檸檸檸檸檸檸檸檸殠 器件物理与器件模拟 檸殠 ：ｕｎｃｔｉｏｎｌｅｓｓＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＴｈｅＥｍｅｒｉｎＰｏｓｔＳＤｅｖｉｃｅｓＪＣＭＯ 　　－ｇｇ　 ＸＩＡＯＤｅｕａｎ　ＲｉｃｈａｒｄＣｈａｎ　　ｙｇ （ｉｎｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｅｃｈｎｏｌｏｏｒｏｒａｔｉｏｎ，ｈａｎｈａｉ，０１３０６，２ＺＳＴＣＳＣＨＮ）ｇ　ｇｙ　ｐｇ （）化学气相沉积／转移方法。大约在８２００～ 将石墨烯生长在金属催化剂膜上，１０００°Ｃ温度下，　 ］２３１ 。然后剥离转移到别的衬底上［ （）３ＳｉＣ表面分解方法。在１００１５００°Ｃ温度２～　　 ）下，加热（经热分解，在其表Ｓ１０３ＣｉＣ半导体衬底，１－面形成石墨烯。将生长在硅衬底表面的ＳｉＣ薄膜图形 ］２４１ 。化，则可以精确控制石墨烯薄膜在衬底上的位置［ 檸檸檸檸檸檸檸檸檸殠 １０７］ 。底上［ 研究进展（续） ＊ 肖德元　张汝京 ）（上海新昇半导体科技有限公司，上海，０１３０６２ ２１２０２０１５１７收稿，０１６１５收改稿２－－－－ ＊＊ （）中图分类号：Ｎ３８６　　文献标示码：０００８１９２０１６０３１７１２ＴＡ　　文章编号：１３０１－－－ ＥＥＡＣＣ：２５００ 在衬底上形成石墨烯的主要方法有：　　目前， （）石墨晶体表面剥离／转移方法。采用胶带１ 从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬 张广宇、时东霞等人发展的一种气相外延技术。国际上首次在六方氮化硼基底上外延了大面积单晶石墨烯，使石墨烯和氮化硼之间的晶格相对转角为零，得到石墨烯／氮化硼异质结构。在输运测量中，他们观察到超晶格子带以及磁场下形成的超晶格朗道 １２６］ 。能级［ ５　硅烯场效应晶体管 单层原子厚度的石墨烯的发现标志着二维晶体作为一类可能影响人类未来电子技术的材料已经出现在世人面前。石墨烯的成功剥离，引发了硅烯））、、（锗烯（单层锡、黑磷、二硫ｉｌｉｃｅｎｅｅｒｍａｎｅｎｅＧＳ 化钼等二维材料的研究热潮。由于二维石墨烯的电子结构中不具备能隙，石墨烯晶体管很难实现电流，这就弱化了其取代硅的用途。硅烯的“开”和“关”也有类似蜂窝状二维晶体结构，但是硅烯中有原子向上翘曲，形成褶皱，如图１６所示。因为它的狄拉 ］１１２７２８－ 以及其敏感的表面，克能带结构［外场和界面 （）碳离子注入析出方法。由中国科学院上海４ 微系统与信息技术研究所科学家研制，采用离子注／入技术，将碳离子注入到ＮｉＣｕ体系中的Ｎｉ层中，／通过控制注入碳离子的剂量（即４Ｅ１５ａｔｏｍｓｃｍ２／剂量对应单层石墨烯，Ｅ１５ａｔｏｍｓｃｍ２剂量对应双８，经退火后，层石墨烯）在衬底表面形成石墨烯。其优点是，由于两种材料对碳溶解能力的不同，经退火后，可以实现单、双层石墨烯的制备；同时它还可以直接生长在硅衬底上，采用光刻、离子注入工艺可以 １２５］ 。精确控制石墨烯薄膜在衬底上的位置［ 的相互作用可以被利用来影响其基本性能如能隙及能带特征，使其中一些电子的能态有轻微的不同，为一个宽广可调谐的二维单层提供了的可能性，使硅 （）气相外延法。由中国科学院物理研究所的５ ）国家科技重大专项资助项目（０１５ＺＸ０２４０１２＊基金项目： ：ａｉｌＤｅｕａｎ．Ｘｉａｏｉｎｓｅｍｉ．ｃｏｍＥ－ｍ＊＊联系作者：＠ｚｙｇ １７２ 固　体　电　子　学　研　究　与　进　展３６卷　 烯中可存在带隙，可应用于未来的纳米电子装置。科学家预测在单层硅烯中将存在量子自旋霍尔效 ］］１１１２９３０３１］ 、、超导电性［巨大的磁阻［和各种奇特的应［ 会开始降解，生命周期只有短短几分钟而已。 由于硅烯在使用时十分不稳定，需要不断改进制作工艺，以期制造出寿命更长的硅烯晶体管，其中还有许多的困难需要克服，为此，笔者提出了一种能延长硅烯晶体管生命周期的双栅硅烯晶体管的制造 １４０］ ，其工艺流程描述如下：在重掺杂硅衬底上方法［ 依赖于场的状态。不同于石墨烯可以从石墨块体中解理出来，硅烯则难以从体硅中获得，因为体材料中的硅原子是以ｓ这种硅与硅之３杂化的形式存在，ｐ间强的共价作用很难被破坏，因此，通过