原版3-第三章晶体缺陷2005.pptVIP

第三章 晶体缺陷 Imperfections (defects) in Crystals ;实际晶体中的缺陷;点缺陷;与点缺陷有关的能量与频率;热力学稳定的缺陷： 产生与消亡达致平衡 *过饱和空位： 高温淬火、冷加工、辐照 ;平衡浓度的推导;空位平衡浓度的最新实验观察;? Low energy electron microscope view of a (110) surface of NiAl. ? Increasing T causes surface islands of atoms to grow. ? Why? The equil. vacancy conc. increases via atom motion from the crystal to the surface, where they join the island.;Two outcomes if impurity (B) added to host (A):;? Low energy electron microscope view of a (111) surface of Cu. ? Sn islands move along the surface and alloy the Cu with Sn atoms, to make bronze. ? The islands continually move into unalloyed regions and leave tiny bronze particles in their wake. ? Eventually, the islands disappear.;习题;位错概念的提出（一）;单晶体强度：理论与实验之间的巨大误差 理论值：tc=103~104MPa 实验值：tc=1~10 MPa 理论值的推导： 板书！ ;刃型位错 edge dislocation;螺型位错 screw dislocation ;混合位错 ;1。首先选定位错的正向 ； 2。然后绕位错线周围作右旋闭合回路-------柏氏回路；在不含有位错的完整晶体中作同样步数的路径， 3。由终点向始点引一矢量， 即为此位错线的柏氏矢量， 记为 ;各种位错的柏氏矢量;1。反映位错周围点阵畸变的总积累（包括强度和取向） 2。 该矢量的方向表示位错运动导致晶体滑移的方向， 而该矢量的模表示畸变的程度称为位错的强度。 （strength of dislocation） ;柏氏矢量的守恒性 ;柏氏矢量的大小和方向可用它在晶轴上的分量-------点阵矢量， 来表示 在立方晶体中， 可用于相同的晶向指数来表示： ;位错的应力场：应力张量;失量与张量的坐标转换;本周作业;上周主要内容回顾;螺型位错的应力场;螺型位错的应力场的特点;刃型位错的应力场;同时存正、切应力分量， 正比于Gb 各应变、应力只是（x, y)的函数，平面应变 多余半原子面所在平面为对称平面 滑移面上无正应力、切应力达最大值 上压下拉 Anywhere 特征分界线 x = +-y, txy, tyy 在其两侧变号， 其上则为零 ;=;位错应变能的特点;位错的线张力;位错的运动（一）;位错的运动（二）;位错的运动（三）;位错的交割（一）;位错的交割（二）;位错的交割（三）;割阶与纽折（Jog and Kink）;本周作业;上周主要内容回顾;位错运动方向⊥位错线 =〉 假想力作用于位错上 虚功原理：=〉 滑移力： Fd=tb t：作用在滑移面上、指向柏氏矢量b的剪应力 * 永远⊥位错线 攀移力：Fy = -sxxb ⊥位错线，也⊥ b（刃位错或刃型分量）;位错间的作用力;两刃位错间作用力的讨论（一）;两刃位错间作用力的讨论（二）;两任意平行位错间作用力;位错密度;位错的生成;位错的增殖;螺位错双交滑移增殖;实际晶体中的位错;典型晶体结构中的单位位错的柏氏矢量;实际晶体中的堆垛顺序;堆垛层错（一）;堆垛层错（二）;层错能;不全位错;弗兰克（Frank) 不全位错;面心立方晶体中的位错;汤普森四面体的展开;FCC中的位错反应;扩展位错的宽度;扩展位错的束集;扩展位错的交滑移;位错网络;本周作业;上周内容回顾;面心立方晶体中的肖克莱不全位错：再看