功能陶瓷 第3章 导电陶瓷.ppt

*;Chapter Outline ;4.1 压敏陶瓷;VDR最大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过阀值时，流过它的电流激增，相当于阀门打开。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害。 彩电的电源电路中就使用了ZnO的VDR ，其阀值电压约为270V，当电源电压小于270V时（正常值为220V）它相当于不导通，而当电源异常，短时超过270V时，它就导通，将电压限制在270V。;应用： 1940年电力避雷器。 有线电话交换机用它消除电火花，硅整流器、彩色电视机用它吸收异常电压，微型马达用它吸收噪声及对电机进行过压保护和继电保护。 大规模集成电路和超大规模集成电路的计算机、电子仪器中作为保护元件。;*;电流电压(I-V)特性;非线性系数α;材料常数C;漏电流;压敏电阻器的蜕变和通流量;ZnO压敏半导体瓷;ZnO压敏半导体瓷;ZnO压敏半导体瓷;*;*;*;ZnO压敏半导体瓷;ZnO压敏半导体瓷; 普通半导体αT＜0，即T↑，ρv↓↓，原因是载流子数目↑； 绝缘体αT＜0，即 T↑，ρv↓，原因是杂质电离→基质电离； 金属 αT＞0 即T↑, ρv↑ 原因是振动加剧，散射↑， B曲线； PTC αT0，A曲线 NTC αT0，C曲线 CTR αT0，D曲线;陶瓷中，电阻温度系数变化有三个原因: 1.半导体本征特性:即在宽温度范围内导致电阻率指数下降； 2.结构转变:导致半导体电导向金属电导转变，通常在窄的温度范围内导致电阻率大幅度降低; 3.一些陶瓷介电性能的迅速变化，影响了晶粒内的电性能，在窄的温度范围内，随温度变化引起电阻率产生很大的增高。 表现出机理2和3的材料局限于实际应用的温度略高于正常环境温度。第二个机理还没引起重要应用。机理3可用于重要的PTC器件，而了解P TC效应需要熟悉BaTiO3陶瓷方面的基础知识。(电子导电和铁电陶瓷基础);热(温)敏陶瓷:对温度变化敏感的陶瓷材料。 热敏电阻（Temperature-sensitive Resistors -TSR）:电阻率随温度变化的电阻元件(电阻器)。; 1950年，Phillip公司的海曼（Haayman）等人在BaTiO3中掺入稀土元素（Sb、La、Sm、Gd、Ho、Y、Nb）时发现BaTiO3的室温ρv降低到101~104Ω·cm，与此同时，当材料温度超过居里温度时，在几十度的范围内， ρv会增大4~10个数量级，即PTC效应。;*;电阻－温度特性（阻温特性）;;电压－电流特性（伏安特性）;当PT C 陶瓷元件接通电源后, 电流将随电压的升高而迅速增加。达到Tc时, 电流达到最大值, 这时PTC 陶瓷元件进入PT C 区域。电压再继续升高, 由于PTC 陶瓷材料元件的电阻急剧增大, 电流反而减小。在此区域的电压、电流乘积保持一定, 显示出恒定功率特性。 因为恒定功率特性的电压范围宽, 即使电压变化, 在元件上仍保持一定的温度。PTC 陶瓷材料的电压- 电流特性可用于过电流保护和定温发热等场合, 元件的功率可根据室温电阻值、开关温度、元件形状和尺寸、散热片间的热阻及散热片的结构进行任意调整, 适用于各种家电产品。;电流－时间特性（I－t 特性）;按居里温度分类： 低温PTCR：(Ba,Sr)TiO3 (Tc≤120℃ ) 彩电消磁，马达启动，过流、过热保护 高温PTCR：(Ba,Pb)TiO3 (Tc＞120℃, 120～500℃) 定温发热体 (Ba、Bi、Na)TiO3 优于含铅PTCR材料：温度系数大，电压效应小;ε;实验发现：单晶BaTiO3无PTC特性，强制还原法所得半导体BaTiO3的PTC特性很小或没有PTC特性．; 1961年海旺提出海旺模型来解释施主掺杂的BaTiO3陶瓷在居里点以上的阻温特性，海旺针对客观实验事实即： (1) PTC效应是与材料的铁电相直接相关的，电阻率突变温度与居里点相对应； (2) 在BaTiO3单晶体中没有观察到PTC效应。 根据事实(1)海旺将PTC效应与?相联系；根据事实(2)，很自然地将PTC效应归结为陶瓷的晶粒边界效应。; 在将上述事实(1)和(2)结合起来考虑时，海旺假设：BaTiO3半导体陶瓷晶粒内部为n型半导体，在晶界处，由于吸附氧或受主杂质偏析，在晶界上形成“电子陷阱”，因此从导带或施主能级上来的电子，首先填充在表面态中，从而在晶界形成受主电荷，并在晶粒内距晶界一定宽度（约为晶粒直径的1/50）形成相反电荷的空间电荷层（阻挡层），从而出现晶界势垒(肖特基势垒)。;ns～表面态密度 ，nD～施主浓度，b～耗尽层厚度，b＝