第5章主存储器总汇.ppt

主讲：禹定臣;第五章; 半导体存储器的分类与基本结构 随机存取存储器 只读存储器 存储器与CPU的连接 微机内存层次结构 微机系统的内存管理;§5.1 存储器概述;5.1.1 半导体存储器的分类与性能指标;2. 性能指标;5.1.2 半导体存储器的基本结构;地址译码器实现对存储单元的寻址，常用的有单译码和双译码方式。;图5-1　单译码结构示意图;2. 双译码方式;例 Intel 2732 ROM (4K?8bit)： 12位（212=4K）地址线 8位I/O数据线 Intel 2114 RAM (1K?4bit)： 10位（210=1K）地址线 4位I/O数据线 ;§5.2 随机存取存储器RAM;1. 单元电路;图5.4　SRAM芯片组成示意图;3. RAM芯片实例;（2） Intel 6116 （2K?8bit SRAM）;5.2.2 动态RAM（DRAM）;2. DRAM的刷新; 集中刷新 在信息保存允许的时间范围（如2ms） 内，集中一段时间对所有基本存储单元 一行一行地顺序进行刷新。 分散刷新 每隔一段时间刷新一次，刷新操作与 CPU操作无关。 异步刷新 在一个指令周期中，利用CPU不进行访 问存储器操作时进行刷新的方法。;图5-7　DRAM控制器逻辑图;3. DRAM芯片实例;§5.3 只读存储器ROM;5.3.1 ROM的组成;5.3.2 ROM的类型;2. 可编程ROM（PROM）;3. 紫外线擦除可编程ROM（EPROM）;4. 电擦除可编程ROM（E2PROM）;— Intel 2732 A (4K?8bit EPROM);（2） 引脚名称;（3） 2732A的操作模式;§5.4 存储器与CPU的连接;（1）CPU总线的负载能力。;5.4.1 存储器的地址选择;存储器的地址选择方法由三种： ① 线性选择法； ② 全译码选择法； ③ 部分译码选择法。;1. 线性选择法;A10;线选法的优点：选片方式简单，节省译码电路。 线选法的缺点： ① 地址空间不连续； 地址分配多义性（高位地址重叠）； 不能充分利用存储空间。 线选法适用于存储容量较小且不要求扩充的系统;2. 全译码选择法;① 低8KB EPROM，选用两片4K×8的2732A； ② 高4KB RAM，选用两片2K×8位的6116； ③ CPU的A0~A11与2732A连， A0~A10与6116 连； ④ 译码器选用74LS138，其地址输入A、B、C 分别与A12、A13、A14相连； ⑤ 各芯片地址分配：;图5.14　74LS138引脚图及真值表;图5.15　例2系统连接框图;3. 部分译码选择法;结论;5.4.2 数据线???控制线的连接;1. Intel 2114(1K?4bit)与8位Z-80CPU 连接组成2KB(2K?8bit)RAM系统;（1）所需芯片数;A15… A12 A11 A10 A9 A8 A7 … A4 A3 … A0;② 线选法;显然，有重叠地址空间。;2. Intel 2114 与Z-80 CPU连接组成4KB的RAM系统;片选信号的译码（部分译码法）;X … X 1 0(选中第三组);3. 8086 CPU与存储器的连接;BHE与A0信号实现对存储体的选择;§5.5 微机内存层次结构;图5.19　内存的层次结构;5.5.1 主存储器;（2）32位存储系统;（3）64位存储系统;2. 存储器模块;5.5.2 高速缓冲存储器;5.5.3 虚拟内存;虚拟内存的管理方法： ① 段式管理 ② 页式管理 ③ 段页式管理;§5.6 微机系统的内存管理;5.6.1 内存分类与使用;1. 常规内存;图5.23　常规内存配置;2. 保留内存与上位内存块（UMB）; 384K内存保留区中未用区域不能直接用来存储数据，要利用扩充内存管理程序EMM386.EXE使其“再生”，将那些未用区域变成上位内存块（UMB）才能使用。;3. 扩展内存;4. 高位内存区（HMA）;图5.27　HMA的使用;5. 扩充内存;6. 五种内存的关系;5.6.2 微机常用操作系统的内存管理;2. Windows 3.X 的内存管理方式;3. Windows 9X/NT/2000 的内存管理方式