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第二章、电力电子器件 ;2.1、电力电子器件的基本模型;2.1.1 电力电子器件的基本模型与特性 ;2.1.1 电力电子器件的基本模型与特性;2.1.2 电力电子器件的种类 ;二、电力电子器件按控制信号 的性质不同又可分为两种: ;附表2.1.1:主要电力半导体器件
的特性及其应用领域;第二章、电力电子器件;2.2 电力二极管 ;2.2.1 电力二极管及其工作原理;二、PN结与电力二极管工作原理:;二、 PN结与电力二极管工作原理:; 二、 PN结与电力二极管工作原理:;势垒电容只在外加电压变化时才起作用。外加电压频率越高,势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正比,与阻挡层厚度成反比。
扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时,当正向电压较低时,势垒电容为主;正向电压较高时,扩散电容为结电容主要成分。
结电容影响PN结的工作频率,特别是在高速开关的状态下,可能使其单向导电性变差,甚至不能工作,应用时应加以注意。;2.2 电力二极管;2.2.2 电力二极管的特性与参数;1、电力二极管的伏安特性;2.2.2 电力二极管的特性与参数;2、电力二极管的开关特性; 电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP,经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值(如 2V)。这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr。
电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子,达到稳态导通前管压降较大。
正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大,UFP越高 。;2、电力二极管的开关特性:(续);2.2.2 电力二极管的特性与参数;2.2.2 电力二极管的特性与参数;3、电力二极管的主要参数 ;(1)额定正向平均电流IF(AV)(续); 指器件中PN结不至于损坏的前提下所能承受的最高平均温度。TjM通常在125~175℃范围内。 ;第二章、电力电子器件;2.3 、晶闸管;2.3 、晶闸管;2.3.1 晶闸管及其工作原理;1、晶闸管的结构(续);2、晶闸管的工作原理;2)阻断:当晶闸管A 、K间承受正向电压,而门极电流Ig=0时, 上述T1和T2之间的正反馈不能建立起来,晶闸管A 、K间只有很小的正向漏电流,它处于正向阻断状态。 ;2.3 、晶闸管;2.3.2 晶闸管的特性与主要参数;1. 晶闸管的伏安特性(续) :;1. 晶闸管的伏安特性(续):;2. 晶闸管的开关特性;延迟时间td:门极电流阶跃时刻开始,到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。
上升时间tr:阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。
开通时间tgt:以上两者之和,tgt=td+tr 普通晶闸管延迟时为0.5∽1.5s,上升时间为0.5∽3s。;正向阻断恢复时间tgr:晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正向导通。
实际应用中,应对晶闸管施加足够长时间的反向电压,使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力,电路才能可靠工作。
关断时间tq:trr与tgr之和,即
tq =trr+tgr;(3)晶闸管的开通与关断时间;3. 晶闸管的主要特性参数 ;(2)晶闸管的额定通态平均电流─额定电流IT(AV) ; 这说明额定电流IT(AV)=100A的晶闸管,其额定有效值为IT = Kf IT(AV) = 157A。;(3)门极触发电流IGT和门极触发电压UGT ;(4)通态平均电压UT(AV );(5)维持电流IH 和掣住电流IL;(6)通态电流临界上升率 di/dt ;(7)断态电压临界上升率du/dt ;2.3 、晶闸管;2.3.3 晶闸管的派生器件 ; 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。
有两个主电极T1和T2,一个门极G。
正反两方向均可触发导通,所以双向晶闸管在第I和第III象限有对称的伏安特性。
与一对反并联晶闸管相比是经济的,且控制电路简单,在交流调压电路、固态继电器(SSR)和交流电机调速等领域应用较多。
通常用在交流电路中,因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。;2.3.3 晶闸管的派生器件;1)又称光触发晶闸管,是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。
2) 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。
3)大功率光控晶闸管则还带有光缆,光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。
4)光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘,且可避免电磁干扰的影响,因此目前在高压大功率的场合,如高压直流输电和高压核聚变装置中,占据重要的地位。;第二章、电力电子器件;2.4 可关断晶闸管 ;2.4 可关断晶闸管;2.4.1 可关断晶闸
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