CMOS模拟集成电路实训2016-Bandgap浅析.ppt

CMOS模拟集成电路实训之电压基准的设计;内容;;;;正温度系数电压 ·如果两个同样的晶体管（IS1= IS2= IS，IS为双极型晶体管饱和电流）偏置的集电极电流分别为nI0和I0，并忽略它们的基极电流，那么它们基极-发射极电压差值为 因此，VBE的差值就表现出正温度系数 ·这个温度系数与温度本身以及集电极电流无关。;实现零温度系数的基准电压 利用上面的正，负温度系数的电压，可以设计一个零温度系数的基准电压，有以下关系： 因为 ， ，因此令 ，只要满足上式 ，便可得到零温度系数的VREF。 即为 ;内容;常用带隙电压基准结构 两种常用结构 先产生一个和绝对温度成正比（PTAT）的电流，再通过电阻将该电流转变为电压，并与双极型晶体管的VBE相加，最终获得和温度无关的基准电压 通过运算放大器完成VBE和ΔVBE的加权相加，在运算放大器的输出端产生和温度无关的基准电压;内容;利用PTAT电流产生基准电压;带隙电压基准电路 ;电路实现;内容;运放输出端产生基准电压;电路实现;两种结构的性能比较 1.驱动能力 PTAT基准不能直接为后续电路提供电流，需要在带隙电压基准和后续电路中加入缓冲器才能提供电流。 2.面积 运放输出基准需要使用3个电阻，并且在Q1和Q2的比值n较小的时候，需要使用更大阻值的R1和R2。因此消耗更多的芯片面积。;内容;低输出电压带隙基准电路;曲率补偿带隙基准电路;高PSRR带隙基准电路 ;无电阻带隙基准;可编程带隙基准;内容;PTAT带隙电压基准的设计;MOS管初始参数设置 N管W/L=20u/2u P管W/L=1.1u/550n;双极晶体管比例设置;电阻设置;设置仿真环境;设置仿真温度范围;仿真结果输出 选择“VREF”端口为输出，开始仿真。;仿真结果分析 温度特性较差，正温度系数过小，这是由于R2/R1的比值过小所致 可通过调节R2/R1的比值来优化温度特性;内容;优化温度特性 采用变量分析“Parametric”方法 方案：固定R1值的大小，扫描R2 方???：在电路图中设置R2的阻值为变量“res” ADE窗口中，选择“Variables”→“Edit”;设置扫描变量 ADE窗口中，点击“Tools”→“Paremetric Analysis” 在Paremetric Analysis窗口中，选择“Set up”→“Pick Name For Vareable” →“Sweep 1...” 在Paremetric Analysis Pick Sweep 1窗口中选择“res”作为变量;设置扫描范围 设置“Sweep1”扫描范围为230~460kΩ “Total Steps”为“5”;;缩小扫描范围，再次仿真 res扫描范围设置为402~460kΩ,再次扫描;利用“Calculator”分析温度特性 在仿真结果图中点击“Tools”→“calculator”;温漂系数计算 计算公式：;列表显示温度系数;绘图显示温度系数;内容;Lab1：PTAT带隙电压基准 指标 VDD=3.3V/5V Vref =1.3V PPM20ppm/℃ 要求 原理分析 Spectre直流特性仿真 实训一参考;Lab2：三支路基准电流源 指标 VDD=5V Iref =30nA 要求 原理分析 Spectre直流特性仿真 Spectre交流特性仿真 实训二参考