薄膜磁电阻测量说明书-仪器信息网.doc

薄膜材料磁电阻效应实验 北京科技大学材料学院实验中心 2007年6月 用巨磁电阻（GMR）和各向异性磁电阻（AMR）磁性薄膜材料制作计算机硬盘读出磁头和各种弱磁传感器，已经广泛应用于信息技术、工业控制、航海航天导航等高新技术领域。通过本实验能够使同学们对磁性薄膜材料的知识和磁电子学有所了解，并由此引起对纳米磁性薄膜材料研究和应用的浓厚兴趣。本实验仪器由我校教师设计搭建，采用高精度纳伏表和数控恒流源，计算机自动采集和显示数据，具有结实牢固、操作简便等优点，适用于大专院校教学和科研使用。 一、实验目的 了解磁性薄膜材料科学和磁电子学的一些基本概念和知识； 了解磁电阻（MR），各向异性磁电阻（AMR）巨磁电阻（GMR）等一些基本概念； 了解和学会四探针法测量磁性薄膜磁电阻的原理和方法； 分析用四探针法测量薄膜磁电阻时可能产生的误差来源； 二、实验原理 1.磁性薄膜的磁电阻效应 磁电阻效应MR是指物质在磁场的作用下电阻发生变化的物理现象。表征磁电阻效应大小的物理量为MR，其定义为： （1） 其中ρ和ρ0分别表示物质在某一不为零的磁场中和磁场为零时的电阻率。磁电阻效应按磁电阻值的大小和产生机理的不同可分为：正常磁电阻效应(OMR)、各向异性磁电阻