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中国科学院等离子体物理研究所博士论文答辩; 根据张晓东研究员关于H-模与负径向电场方面的有关思想和设想，围绕张晓东研究员承担的国家自然科学基金项目《H-模中负径向电场产生和控制研究》进行工作的。 ;主要研究内容;一、荷电粒子在磁场中的漂移与边界负径向电场的产生;1、荷电粒子在梯度和曲率磁场中的漂移速度;2、梯度磁场和曲率漂移对荷电粒子运动的影响;3、负径向电场的产生（理解）;二、托卡马克中荷电粒子运动方程的建立与数值模拟;1、荷电粒子运动微分方程组的建立;（2）运动微分方程组; ;; ; ;;模拟条件为：R0=1000mm，B0=2T，安全因子q取1、2、3、4，离子能量取Ti=1keV，氘离子运动起点在低场侧赤道面，速度方向取在o-xy平面内，与纵场正方向夹角为0度、10度、20度、30度。 ;——随着角度的增大，漂移位移增大，但幅度不大。 ;模拟条件为：R0=1000mm，B0=2T，安全因子q=3，离子能量取Ti=1keV、3keV、5keV，氘离子运动起点在小半径方向（极向o-xz平面内）依次取0度（在低场侧赤道面上）、45度、90度、135 度（逆时针方向）。;;模拟条件为：R0=1000mm，B0=2T，安全因子q=3，离子能量取Ti=1keV、3keV、5keV，氘离子运动起点在小半径方向（极向o-xz平面内）依次取0度（在低场侧赤道面上）、45度、90度、135 度（逆时针方向）。;; 氘离子运动起点在低场侧赤道面上，速度方向取在o-xy平面内，与纵场夹角为 ，折转角 。;经推导香蕉曲线离开磁面圆弧的最大偏移 ：;三、负径向电场对荷电粒子运动的影响及其数值模拟;（1）理论解释 ; ;;;;;;;经推导：有负径向电场时，安全因子为：;——电场在0~5000V/m内，氘离子在极向上表现为逆时针运动的通行粒子，最大漂移位移增大；电场大于40200V/m，表现为顺时针方向运动的通行粒子，漂移位移急剧减小；电场界于5000~40200V/m之间，随着电场增大，首先出现外翻香蕉轨迹，折转角从180度逐渐减小，最大漂移位移开始减小，直至折转角为0度，漂移位移为0；接着出现折转角逐渐增大的内翻香蕉轨迹，折转角逐渐增大，漂移位移增大。 ;3、负径向电场对香蕉粒子出现区域的影响; ;;;;;;;;;;;;四、边界负径向电场的模拟求取;;; 把等离子体小截面边界一定的厚度按磁面划分成若干区，每个区宽度可以相等或不等，再沿径向每隔一定的角度划分若干扇区，这样形成若干网格；;（1）在模拟计算过程中，认为等离子体处于稳态，等离子体密度、温度分布保持不变。 （2）等离子体边界的荷电粒子密度和温度分布遵从（5-1）、（5-2）式的规律； （3）每个区内（磁面与磁面之间）的电子、离子的密度和温度认为相同,取其中心位置的密度和温度； （4）整个网格内粒子视为集中在网格中心。考虑y轴方向，则沿大环方向，粒子集中在以大环中心为圆心，圆心到网格中心为半径的大环圆周线上； （5）计算中由于电子的漂移位移相对离子来说很小，因此，认为电子的漂移位移为零，即在原磁面上运动，没有漂移损失。 ;3、 “高能成份”离子的获取;4、 电场的求取;5、 数值解法;在直角坐标系下二维泊松方程为： ;6、 算例;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;（2）净电荷仅分布在边界一定厚度区域内的径向电场;7、托卡马克等离子体边界区域负径向电场的数值模拟;（1）不考虑负径向电场影响时的模拟计算;（a）各层离子损失情况 边界离子温度按照 变化时： ;边界离子温度按照 变化时： ;边界离子温度按照 变化时： ;（b）各扇区离子损失情况 边界离子温度按照 变化时： ;（c）离子运动方向与损失情况 边界离子温度按照 变化时： ;（d）产生负径向电场电场 边界离子温度按照 变化时： ;（d）产生负径向电场电场 边界离子温度按照 变化时： ;——负径向电场的数量级在107V/m，大于测量到的104-105 V/m左右数量级。其原因是没有考虑在离子损失过程中不断产生并且越来越大的负径向电场对后续离子漂移运动的影响。在负径向电场的约束下，离子的漂移位移小于没有电场时的位移，离子损失将减小，产生的电场也就降下来。 ;（2）考虑负径向电场影响时的模拟计算;（a）各层离子损失