第三章集成逻辑门电路2010.3.22.pptVIP

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第三章集成逻辑门电路2010.3.22.ppt

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第三章集成逻辑门电路2010.3.22

*;*;*;*;*;*;*;补充半导体基础知识;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，三个区分别叫发射区、基区和集电区。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;解：由图3-25所示输入特性可得 IIH=40?A, IIL=-1.5mA。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*