硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究3.PDFVIP

　第 20 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　V o l. 20,N o. 1　 　1999 年 1 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Jan. , 1999　 　3 本课题受到国家自然科学基金、国家教委“跨世纪优秀人才”培养计划资助 叶志镇　男, 1955 年出生, 教授, 博士生导师, 主要从事硅基薄膜材料研究 黄靖云　男, 1967 年出生, 博士生, 从事HUV öCVD 锗硅材料研究 1997211206 收到, 1998203228 定稿 硅上超高真空CVD 生长硅锗 外延层及其特性研究3 叶志镇　黄靖云　卢焕明　姜小波　汪　雷　赵炳辉　阙端麟 (浙江大学硅材料国家重点实验室　杭州　310027) 摘要　 我们利用自行研制的U HV öCVD 技术在直径 3 英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层, 并进行了实时掺杂生长. 采用X 射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组 分, 利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征, 研究了生长特性和材料特性. 由此获得生长 速率及组分与源气体流量的关系曲线, 发现生长速度随 Ge 组分的增加而降低, 以氢气为载气 的B 2H 6 对锗硅合金的生长速率有促进作用. PACC: 8115H , 7340L , 6855 1　引言 以硅