湖北省武汉市2016-2017学年高二物理下学期期中试题(无答案).docVIP

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  • 2017-05-04 发布于河北
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湖北省武汉市2016-2017学年高二物理下学期期中试题(无答案).doc

湖北省武汉市2016-2017学年高二物理下学期期中试题(无答案)

PAGE  PAGE 9 湖北省武汉市2016-2017学年高二物理下学期期中试题(无答案) 一、单项选择题.本题共5小题,每小题5分,共计25分.每小题只有一个选项符合题意. 1. 如图所示为氢原子能级示意图,现有大量的氢原子处于量子数为n=4的激发态,当向低能级跃迁时辐射出若干不同频率的光,下列说法正确的是 (  ) 第1题图 A.这些氢原子总共可辐射出3种不同频率的光 B.由n=2能级跃迁到n=1能级产生的光频率最小 C.用n=4能级跃迁到n=2能级辐射出的光照射逸出功为4.54 eV的金属钨能发生光电效应 D.若是一个氢原子处于n=4能级,则最多可辐射3种不同频率的光 2.下列说法正确的是( ) A.氡的半衰期为3.8天,若取8个氡原子核,经7.6天后就一定剩下2个原子核了 B.重核裂变释放核能产生新核的过程中,新核的比结合能一定比该重核的比结合能小 C.太阳内部持续不断地发生着4个质子()聚变为1个氦核()的热核反应,核反应方程是4→+2.已知质子、氦核、正电子的静质量分别为m1、m2、m3,真空中的光速为c.这个核反应中释放的核能△E=(4m1﹣m2﹣2m3)c2 D.衰变为,要经过4次衰变6次衰变 3.如图所示,电源电动势为E,内阻为r.电路中的R2、R3分别为总阻值一定的滑动变阻器,R0为定值电阻,R1为光敏电阻(其阻值随光照强度增大而减小).当电键S闭合时,电容器中一带电微粒恰好处于静止状态.下列说法中正确的是(  ) A.只逐渐增大R1的光照强度,电阻R0消耗的电功率变大,电阻R3中有向上的电流 B.只调节电阻R3的滑动端P2向上端移动时,电源消耗的功率变大,电阻R3中有向上的电流 C.只调节电阻R2的滑动端P1向下端移动时,电压表示数变大,带电微粒向下运动 D.若断开电键S,带电微粒保持静止状态 4.一个边长为6cm的刚性单匝正方形金属线框置于均匀磁场中,线框平面与磁场垂直,线框电阻为0.36Ω.磁感应强度B随时间t的变化关系如图所示,则线框中感应电流的有效值为(  ) A.×10﹣5A B.×10﹣5A C.×10﹣5A D.×10﹣5A 5.在光滑的水平桌面上有等大的质量分别为M=0.6kg,m=0.2kg的两个小球,中间夹着一个被压缩的具有Ep=10.8J弹性势能的轻弹簧(弹簧与两球不相连),原来处于静止状态.现突然释放弹簧,球m脱离弹簧后滑向与水平面相切、半径为R=0.425m的竖直放置的光滑半圆形轨道,如图所示.g取10m/s2.则下列说法正确的是(  ) A.球m从轨道底端A运动到顶端B的过程中所受合外力冲量大小为0.2N?s B.M离开轻弹簧时获得的速度大小为9m/s C.若半圆轨道半径可调,则球m从B点飞出后落在水平桌面上的水平距离随轨道半径的增大而减小 D.弹簧弹开过程,弹簧弹力对m的冲量大小为1.8N?s 二、多项选择题:本题共5小题,每小题5分,共计25分.每小题有多个选项符合题意.全部选对的得5分,选对但不全的得3分,有错选或不答的得0分. 6.一个质量为m,电荷量为+q的小球以初速度v0水平抛出,在小球经过的竖直平面内,存在着若干个如图所示的无电场区和有理想上下边界的匀强电场区,两区域相互间隔,竖直高度相等,电场区水平方向无限长.已知每一电场区的场强大小相等,方向竖直向上,不计空气阻力,下列说法正确的是( ) A.小球在水平方向做匀速直线运动 B.若场强大小等于,则小球经过每一电场区的时间均相同 C.若场强大小等于,则小球经过每一无电场区的时间均相同 D.无论场强大小如何,小球通过所有无电场区的时间均相同 7.如图所示,一轻弹簧左端固定在足够长的木块A的左端挡板上,右端与小物块B连接,A、B及A与水平地面间的接触面均光滑.开始时,A和B均静止,现同时对A、B施加大小相等、方向相反的水平恒力F1和F2.则从两物体开始运动到弹簧第一次伸长到最长(弹簧形变始终不超过其弹性限度)的过程中,对A、B和弹簧组成的系统,正确的说法是(   ) A.由于F1、F2大小相等、方向相反,故系统动量守恒 B.由于F1、F2大小相等、方向相反,故系统机械能守恒 C.当弹簧的形变量最大时,A、B均处于平衡状态 D.当弹簧的弹力与F1、F2大小相等时,A、B的动能均达到最大值 8.如图所示,正方形单匝导线框ABCD、abcd的边长均为L,电阻均为R,质量分别为2m和m,它们分别系在一跨过两个定滑轮的轻绳两端,且正方形导线框与定滑轮处于同一竖直平面内.在两导线框之间有一宽度为2L、磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里的匀强磁场.开始时导线框ABCD的下边与匀强磁场的上边界重合,导线框abcd的上边到匀强磁场的下边界的距离为L.现将系统由静止释放,当导线框AB

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