磁控溅射镀膜机电子束蒸发镀膜仪技术参数.docVIP

磁控溅射镀膜机/电子束蒸发镀膜仪技术参数 一、电子束蒸发镀膜仪技术要求： 1. 整机需采用柜式一体化集成封闭结构。高压强电系统需密封在柜内。 2. 镀膜技术：采用高真空电子束镀膜和电阻式热蒸发镀膜两种技术。 3. 电子枪及热蒸发源： 3.1）1台E型电子枪（功率≥8KW） 3.2）四穴水冷坩埚（无氧铜材料）。与基片的距离必须350～400mm可调。 3.3）3套水冷电极柱 3.4）3套电阻热蒸发源 3.5）4套挡板。 4. 真空腔体： 4.1）需用真空专用奥氏体，304不锈钢。立式D形前开门结构； 4.2）真空室内外全部电化学抛光。 4.3）必须预留膜厚仪接口及两个CF35接口； 4.4）腔体上要有≥Φ100mm观察窗，需配不锈钢挡板。观察窗。 4.5）极限真空≤8×10-5Pa 4.6）不锈钢金属波纹管路，真空规管用金属规，需用微机型复合真空计。 5. 真空系统： 真空系统需采用分子泵（抽速≥1200L/S）+机械泵真空机组（抽速≥8L/S）。 6. 控制系统：采用PLC控制。同时具有手动操控方式和半自动运行方式。 7. 电源系统：恒流，0～300A，可控可调。能在三套热蒸发源之间切换使用。 8. 基片台： 8.1）需配1套尺寸不小于Ф200mm可水冷样品台。 8.2）4块独立挡板，可通过磁控拉杆独立控制4部分区域镀膜； 8.3）基片转速2～20