PN结及半导体二极管认识资料.ppt

PN结 3、PN结的反向击穿 PN 结处于反向偏置时，反向电压超过某一数值时， 反向电流急剧增加，这种现象称反向击穿。 齐纳击穿：外加反向电压很大，形成很强的电场，直接破坏共价键，把电子拉出来，产生电子空穴对，使反向电流急剧增加。 雪崩击穿：反向电压逐渐增加，电场加强，少子受到加速，高速运动可能将价电子碰撞出共价键，产生电子空穴对，产生的电子继续碰撞，像雪崩一样。 齐纳击穿：6V以下，可恢复 雪崩击穿：6V以下，不可恢复，短路报废 半导体二极管的认识 学习任务 1、认识二极管 2、了解二极管的特性 3、掌握二极管的应用电路 一、半导体二极管的结构和类型 1、结构及符号 PN结加上引线之后，进行封装，P区为正极，N区为负极 2、类型 ①按材料分：硅二极管，锗二极管，砷化镓二极管等 ②按结构分：点接触型、面接触型等 ③按封装分：塑料、玻璃、金属 ④按用途分：开关、整流、稳压、发光、光电、变容等 ⑤按功率分：大功率、小功率等 3、命名方法 一般分为5个部分 2AP2D 数字表示电极数目 字母表示材料 A：N型锗材料 B：P型锗材料 C：N型硅材料 D：P型硅材料 字母表示类型或用途 P普通管 V微波管 W稳压管 C参量管 Z整流管 L整流堆 S隧道管 N阻尼管 U光电管 K开关管 * * 一. PN 结的形成 在同一片半导体基片上采用不同的掺杂工艺分别制造P 型半导体和N 型半导体，由于浓度的不同，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 PN 结具有单向导电性 由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。 在电场力的作用下，载流子的运动称为漂移运动。 随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，阻止扩散运动的进行，但有利于少子的漂移，当扩散的多子和漂移的少子数目相等时，达到动态平衡，形成PN 结。 空间电荷区，也称耗尽层。空间电荷区中没有载流子。 1、PN 结加正向电压（正向偏置） 内电场 外电场 变薄 － － － － + + + + R E P N + _ 外电场使耗尽层变窄，内电场被削弱，多子的扩散加强，能够形成较大的扩散电流。即为很大的正向电流，P区→N区，称为正向导通 二. PN结的单向导电性 2、PN 结反向偏置 P负N 正，截止 内电场 外电场 变厚 外电场使耗尽层变宽，内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，形成漂移电流，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。 N区→P区 － － － － + + + + N P + _ R E 反向 饱和电流 三、PN 结的伏安特性 U I 正向特性 （u0） 反向特性 （u0） 反向击穿部分 四、PN 结的电容效应（了解） 在一定条件下，PN 结具有电容效应：势垒电容，扩散电容 点接触型：高频、小功率整流 面接触型：整流 平面型：大功率整流、开关 符号