一种带保护电路的低功耗LDO.pdfVIP

西安理工大学学报JournalofXi’anUniversityofTechnology(2011)Vo1．27No．3 261 文章编号：1006-4710(2011)03-0261-05 一 种带保护 电路 的低功耗 LDO 杨利君 ，陈治明 ，龚正 ，石寅 (1．西安理工大学 自动化与信息工程学院，陕西 西安710048； 2．苏州中科半导体集成技术研发中心，江苏 苏州215021) 摘要 ：为了保护芯片不受电源电压起伏的影响，设计 了一种应用于移动多媒体广播 (CMMB)的带 保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO)；为了保证LDO的反馈环路在所有 负载电流下均稳 定，采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输 出管，使环路的相位裕度都高于40。；为了避免输 出 管在过流和过热时损坏，设计 了过流保护电路和过热保护电路：过流保护 电路将过载的电流限制在 150mA；过热保护 电路包含滞回功能，在温度高于145~C时，过热保护 电路将 LDO关断，当温度低 于 125oC时，LDO重新打开。LDO的输入 电压范围为 1．5～3．3V，输 出电压为 1．2V。LDO采用 0．35txmCMOS工艺设计 ，共消耗 3O A的静态电流，最大负载 电流为 80mA。芯片面积为380．2 Ixm ×198txm。 关键词：低压降线性调节器；过流保护电路 ；过热保护 电路；相位裕度 中图分类号：F830．5 文献标志码 ：A A Low PowerLow DropoutRegulatorwithProtectionCircuits YANGLijun ，CHENZhiming，GONGZheng，SHIYin (1．FacultyofAutomationandInformationEngineering，Xi’anUniversityofTechnoloyg，Xi’an710048，China； 2．Sazhou—CASSemiconductorsIntegratedTechnologyResearchCenter，Suzhou215021，China) Abstract：Thispaperpresentsalowpowerlowdropoutregulator(LDO)withprotectioncircuitswhich shieldachipfrom fluctuationsinsupplyrailsforCMMBapplication．Byemployingalow gainlow output impedancebuffertodrivethegatenodeofthepassdevice，phasemarginwithover40。isachievedunder anyloadcurrentconditions．Toavoiddestroythepassdevicebytheovercurrentandovertemperature， theovercurrentprotection(OCP)circuitwhichlimitsthemaximumloadcurrentat150mA，andtheO— vertemperatureprotection (OTP)circuitwhichturnsofftheLDOwhenthetemperatureishigherthan 145~C ，andturnsontheLDO whenthetemperatureislowerthan125qC aredesigned．Theinputvoltage rangeis1．5～3．3V．andtheoutputvoltageis1．2V．TheLDOwithprotectioncircuitshasbeenimple— mentedina0．35 Ixm CMOSprocess．Itdissipatesonly30txA quiescentcurrentatnoloadconditionand isabletodeliverupto80mA max