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第三章 光辐射探测器 3.1 光辐射探测器的理论基础 ﹡光热效应 ﹡光电效应 3.1 光辐射探测器的 理论基础 光辐射探测器的物理效应主要是光热效应和光电效应。 3.2 光热探测器 3.2.1 热敏电阻 在自建电场作用下， 光电流Iφ的方向与I0相同。 光照下PN结的电流方程为 短路(RL→0)情况,U=0 短路电流为 光照下PN结的两个重要参量: 开路(RL→∞)情况,I=0开路电压为 3.1.2.4 光电发射效应 光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为光电发射效应，又称外光电效应。 爱因斯坦定律 当hν＝W，对应的光波长为阈值波长或长波限。 金属材料的电子逸出功 W —从费米能级至真空能级的能量差。 半导体材料的电子逸出功 良好的光电发射体，应该具备的基本条件： 光吸收系数大； 光电子逸出深度大 ； 表面势垒低 。 金属光电发射的量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区。 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料(NEA)。 P型Si的光电子需克服的有效亲和势为 由于能级弯曲，使 这样就形成了负电子亲和势。 正电子亲和势材料的阈值波长 负电子亲和势材料的阈值波长 从而光谱响应可扩展到可见、红外区。 3.1.3 光探测器的噪声 光探测器在光照下输出的电流或电压信号是在平均值上下随机起伏，即含有噪声。 用均方噪声 表示噪声值的大小。 噪声的功率谱 表示噪声功率随频率的变化关系。 光探测器中固有噪声主要有：热噪声、散粒噪声、 产生-复合噪声、1/f噪声、 温度噪声。 、热噪声 热噪声存在于任何导体与半导体中，是由于载流子的热运动而引起的随机起伏。 热噪声属于白噪声，降低温度和通带，可减少噪声功率。 二、散粒噪声 在光子发射、电子发射、电子流中存在的随机起伏 。 散粒噪声也属于白噪声。 三、产生-复合噪声 在半导体器件中，载流子不断地产生-复合，使得载流子浓度存在随机起伏。 四、1/f噪声 是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在。 多数器件的1/f噪声在200～300Hz以上已衰减为很低水平。 五、温度噪声 在光热探测器中，由于器件本身吸收和传导等热交换引起的温度起伏。 低频时 也具有白噪声性质。 光电探测器噪声功率谱综合示意图 3.1.4 光探测器的性能参数 一、光电特性和光照特性 光电流I,大小为微安级或毫安级。 光电特性 光照特性 线性度很重要。 二、光谱特性 光谱特性决定于光电器件的材料。 光谱特性对选择光电器件和光源有重要意义，应尽量使二者的光谱特性匹配。 光电器件的灵敏度（响应率） 光谱灵敏度 积分灵敏度 积分灵敏度不但与探测器有关，而且与采用的光源有关。 三、等效噪声功率和探测率 等效噪声功率 探测器的最小可探测功率 （噪声功率水平） 等效噪声功率越小，说明探测器本身的噪声水平低，探测器的性能越好。 用探测率D作为探测器探测能力的指标: * * * * 3.2 光热探测器 3.3 光电探测器 光电导器件 结型光电器件 光电发射器件 3.1.1 光热效应 当光照射到理想的黑色吸收体上时，黑体将对所有波长的光能量全部吸收，并转换为热能，称为光热效应 。 热能增大，导致吸收体的物理、机械性能变化，通过测量这些变化可确定光能量或光功率的大小，这类器件统称为光热探测器。 光热探测器对光辐射的响应有两个过程： 器件吸收光能量使自身温度发生变化 把温度变化转换为相应的电信号 共性 个性 光热探测器的最大特点是： 从紫外到40μm以上宽波段范围，其响应灵敏度与光波波长无关，是对光波长无选择性探测器。响应速度较慢 。 探测器遵从的热平衡方程： 设入射光的表达式为： 代入热平衡方程，得到： 解得： 器件的平均温升 器件随频率ω的交变温升 式中， 是器件的热时间常数。 表明器件温升滞后于辐射功率的变化。 因此，光热探测器常用于低频调制辐照场合。 设计时应尽力降低器件的热时间常数，主要是减少器件的热容量。 3.1.2 光电效应 光电效应是物质在光的作用下释放出电子的物理现象。 分为: 光电导效应 光伏效应 光电发射效应 3.1.2.1 半导体中的载流子 载流子:能参与导电的自由电子和自由空穴。 载流子浓度:单位体积内的载流子数。 I: N: P: 室温下 （施主浓度） 全电离时 （受主浓度） 一、热平衡状态下的载流子浓度 由（1.26）式， 可得出： 上式表明：禁带愈小，温度升高， np就愈大，导