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第一章电路的基本概念和解析方法
例 外电路 实际电流源的产生 可由稳流电子设备产生,如晶体管的集电极电流与负载无关;光电池在一定光线照射下光电池被激发产生一定值的电流等。 + _ u R 电流源的功率 例 计算图示电路各元件的功率。 解 发出 吸收 满足:P(发)=P(吸) + _ U + _ 2A 5V 实际电流源不允许开路。因其内阻大,若开路,电压很高,可能烧毁电源。 Is u i O 实际电流源 考虑内阻 伏安特性 一个好的电流源要求 U + _ I 解:由KCL 3 + 1- 2 + I = 0, I = - 2(A) U1= 3I = - 6(V) U + U1+ 3 - 2 = 0,U = 5(V) 例2,图示电路:求U 和I 。 1A 3A 2A 3V 2V 3? U I U1 - - + + + + - - 由KVL 7A 5V 10V 1? - - + + I1 I2 2? 例3, 求图示电路中的 I1 和 I2 。 解:由KCL I1 = 7 + I2 由KVL 1?I1 + 2I2 + 10–5 = 0 I1 = 7 + I2 I1 + 2I2 =–5 I1 = 3A I2 =–4A 4A 1? A + – 2? 4V B 1A i1 uAB + – 例4, 应用基尔霍夫定律求uAB 。 解:引入中间变量i1 由KVL: uAB = 2 · 4 +4+1 · i1 =12+ i1 由KCL: i1= 4 –1 = 3A ∴ 得 uAB = 15V 例5, 图示电路, 用观察法求I 、 R 和US 。 US + - 5 W 10 W 6 W 3A 2A I 10 W R I1 UR IR + - U + - 解:1) 求I 由KVL : 10 W× 2A + U - 5 W× 3A = 0 U =-20 +15= -5V 再由U =10I,得I = -0.5A 2) 求R 由KCL : I + IR = 2A , IR = 2 -I = 2.5A I1 =3A + I = 2.5A UR = RIR =10I+ 6I1 , R = (-5 +15)/2.5 = 4 W 3) 求US 由KVL : US = 5 W× 3A+ 6I1 = 30V 集总参数电路(模型)由电路元件连接而成,电路中各支路电流受到 KCL约束,各支路电压受到 KVL约束,这两种约束只与电路元件的连接方式有关,与元件特性无关,称为拓扑约束。 §1.6 两类约束和电路方程 元件约束 一. 两类约束 拓扑约束(又称结构约束) 集总参数电路(模型)的电压和电流还要受到元件特性(例如欧姆定律u=R i )的约束,这类约束只与元件的VCR有关,与元件连接方式无关,称为元件约束。 任何集总参数电路中的电压和电流都必须同时满足这两类约束关系。 二、电路方程 电路分析的基本方法是:根据电路的结构和参数,列写出反映两类约束关系的 KCL、KVL和 VCR方程(称为电路方程),并求解电路。 一般情况下,如果电路中有b条支路,则有2b个电流电压变量,需用2b个联立方程求解。 KCL KVL b个方程 VCR b个方程 其中: 2b方程 以b个支路电压和b个支路电流为变量的电路方程简称为2b方程。 可以证明:对于具有b条支路n个结点的电路 ☆列出的线性无关的独立KCL方程数为n?1个; ☆列出的线性无关的独立KVL方程数为等于电路的网 孔数,而电路的网孔数等于 b-(n-1)。 KCL方程数=n?1 KVL方程数=b-(n-1) b个方程 VCR b个方程 2b方程 2b方程是最原始的电路方程,是分析电路的基本依据。求解2b方程可以得到电路中全部支路电压和支路电流。 1.KCL的独立方程数 1 4 3 2 ①+②+ ③+ ④ =0 结论 n个结点的电路, 独立的KCL方程为 n-1 个。 2.KVL的独立方程数 用数学归纳法证明 KVL的独立方程数=独立回路数(网孔数)=b-(n-1) 2 6 5 4 3 2 1 4 3 1 i4 i1 i6 i2 i3 i5 结论 n个结点、b条支路的电路, 独立的KCL和KVL方程数为:(n-1)+b-n+1=b (1)m=1时显然成立; (2)假设网孔为m=b-n+1时成立,则m+1时; b=4 n=4 m=1 m个 网孔 第m+1个网孔 令新网孔数为m′,新支路数为b ′ ,新节点数为n ′ ,显然有 对结点① ② ③列出KCL方程: 各支路电压电流采用关联参考方向,按顺时针方向绕行一周,列出2个网孔的 KVL方程: 列出b条支
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