第三章节场效应管及其放大电路.pptVIP

2. 场效应管放大电路 的微变等效电路 四、改进电路 3.2.3共漏放大电路 解方程得：IDQ1 = 0.69 mA，UGSQ = – 2.5V (增根，舍去) (a) 转移特性曲线 (b) 输出特性曲线 图 自给偏压电路Q点的图解 1. 场效应管的等效电路 三、动态分析 —场效应管电路小信号等效电路分析法 移特性可知，gm是转移特性在静态工作点Q处 gm为低频跨导，反映了管子的放大能力，从转 切线的斜率. rds为场效应管的共漏极输出电阻，为输出特性在Q点处的切线斜率的倒数，如图所示，通常rds在几十千欧到几百千欧之间。 从输入端口看入，相当于电阻 rgs(?)。 从输出端口看入为受 ugs 控制的电流源。 id = gmugs 小信号模型 根据 rgs S id gmugs + ugs ? + uds ? G D rds RL RD + uo ? + ui ? G S D + ugs ? gmugs id ii RG 3.计算放大电路的动态指标 注意：自给偏压电路只适用耗尽型场效应管放大电路 3.2.2 分压式自偏压放大电路 调整电阻的大小，可获得： UGSQ 0 UGSQ = 0 UGSQ 0 RL +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 一、电路组成 二、静态分析 UDSQ = VDD – IDQ(RS + RD) 三、动态分析 RL RD + uo ? + ui ? RG2 G S D RG1 + ugs ? gmugs id ii 目的：为了提高输入电阻 有 CS 时： RL +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 RL RD + uo ? + ui ? RG2 G S D RG3 RG1 + ugs ? gmugs id ii 无 CS 时： RS Ri、Ro 不变 RL +VDD C2 + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 RL RS + uo ? + ui ? RG2 G S D RG3 RG1 + ugs ? gmugs ii io Ro 例 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?， RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。 IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。 ? iG = 0 ? uGS = ? iDRS iD1= 4 mA iD2= 1 mA uGS = – 8 V UGS(off) 增根 uGS = – 2 V uDS = VDD – iD(RS + RD) = 20 – 14 = 6 (V) uO = VDD – iD RD = 20 – 14 = 8 (V) 在放大区 例 已知 UGS(off)= ? 0.8 V，IDSS = 0.18 mA， 1. 求“Q”。2.求AU,Ri,RO IDQ2 = 0.45 mA ， UGSQ = – 0.4 V RL RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 G S D RG1 RG3 10 k? 10 k? 200 k? 64 k? 1 M? 2 k? 5 k? +24V 模 拟 电 子 技 术 第 3章场效应管及其放大路 3.1 场效应管 3.2 场效应管及放大电路 　　 3. 1　场效应管 引　言 3.6.1 结型场效应管 3.6.3 场效应管的主要参数 3.6.2 MOS 场效应管 引 言 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET) 特点： 1. 单极性器件(一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、 体积小、成本低 2. 输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 3.1.1 结型场效应管 1. 结构与符号 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 2. 工作原理 (1)UGS对ID的控制作用 2.UDS对ID的影响 3.UDS和UGS共同作用 uGS ? 0，uDS 0 此时 uGD =