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实验四 场效应管放大电路 1．实验目的 （1）研究场效应晶体管放大电路的特点（2）比较场效应管放大电路与双极型晶体管放大电路的不同（3）掌握场效应管放大电路性能指标的测试方法。 2．实验理论知识和实验知识 本实验了场效应管的原理应用。 3．实验仪器 直流稳压电源、万用表、信号发生器和示波器 4．实验电路 如图4.1.1所示为实验参考电路，它由一级场效应管和一级三极管放大电路组成。 5．实验原理 场效应管是一种电压控制型的半导体器件。按其结构和工作原理不同，可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。它不仅像双极型晶体管一样具有体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点。而且与双极型晶体管相比，它的输入阻抗很高，可达101012Ω，热稳定性好，抗辐射能力强。它的最大优点是占用硅片面积小，制作工艺简单，成本低，很容易在硅片上大规模集成。因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。 与三极管放大电路一样，为了使电路正常放大，必须设置合适的静态工作点，以保证在信号整个周期内，场效应管均工作在恒流区。 （1）结型场效应管的特性和参数 图为N沟道结型场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线。在转移特性曲线中，当GS=0时的漏极电流称为饱和漏极电流IDSS。当GS变化到使ID≈0时，相应的GS称为夹断电压P。转移特性曲线的斜率称为跨导gm，显然gm的值与场效应管的工作点有关。 输出特性曲线分为四个区可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。 1）可变电阻区 图中的予夹断轨迹是各条曲线上，使DS=UGS-UP，即GD=UP的点连接而成的。GS越大，予夹断时的DS值也越大。予夹断轨道的左边区域称为可变电阻区，该区域中的曲线近似为不同斜率的直线。当GS确定时，直线的斜率也唯一地被确定，该斜率的倒数即为漏源间的等效电阻。因此，在该区域中，通过改变GS的大小，可以改变漏源间的电阻阻值。所以把这个区域称为可变电阻区。 2）恒流区 图中的予夹断轨迹的右边区域为恒流区。当DSUGS- UP，即GDUP时，各曲线近似为一组横轴的平行线。漏极电流ID基本不随DS而变，故称此区域为恒流区。在恒流区内，虽然ID不随DS而变化，但是，对应于不同的GS，漏极电流的恒值不同。也就是说，GS对漏极电流有控制作用，所以又称为“放大区”。场效应管作为放大器使用时，一般工作在此区域内。 3）夹断区 当GS UP时，导电沟道被夹断，ID≈0，即图中靠近横轴的部分，称为夹断区。 4）击穿区 当DS增加到某一临界值时，漏极电流ID开始迅速增大而出现击穿现象。这是由于DS过高而使漏区与衬底之间的PN结产生雪崩击穿而致。 （2）场效应管放大电路 实验电路采用由N沟道结型场效应管以及若干电阻、电容组成的共源放大电路，如图4.1.1所示。下面以此电路为例进行研究。 是N沟道结型场效应管，其管脚排列和符号如图4.1.3所示。 N沟道结型场效应管是电路的核心，为使它工作在恒流区，通过Rg1和Rg2对电源DD分压来设置偏压G，所以称此电路为分压式偏置电路。G应大于P；在输出回路加漏极电源DD，一方面使漏源电压大于予夹断电压，以保证管子工作在恒流区，另一方面作为电路的能源Rd的作用是将漏极电流ID的变化转换成电压DS的变化，从而实现电压放大。1）静态分析 由于栅极电流为0，所以电阻Rg上的电流为0，栅极电位 源极电位 SQ=IDQRS 因此 DSQ=UDD-IDQ（Rd+Rs）2）动态分析 共源极放大电路微变等效电路如图所示。场效应管放大电路的动态分析同双极性三极管，也是求电压放大倍数A、输入电阻Ri和输出电阻Ro。 ①电压放大倍数 根据电压放大倍数的定义 由等效电路可得 再找出o和i的关系，即gs和i的关系，从等效电路可得 i=ugs 所以 ②输入电阻 ③输出电阻 Ro=RD （3）场效应管放大电路的测试 对于场效应管放大电路静态工作点、电压放大倍数和输出电阻的测量方法与单级放大电路的相应测量方法一样。不同的是由于场效应管的输入电阻Ri比三极管的输入电阻高很多，与示波器的输入电阻同属于一个数量级，因此不能在输入端直接测量，否则会带来较大的测量误差。对于这种输入阻抗很高的放大电路，通常采用输出换算法来测量场效应管放大电路的输入阻抗。测量电路如图所示。 在放大器输入端和信号发生器之间，串接一个与Ri数值相当电阻R。这时，由于R的接入会引起放大电路输出电压o的变化，在开关S闭合、断开情况下，用示波器测得输出电压分别是o1和o2。将测量值带入下面公式可计算Ri。 （4）场效应管与三极管的性能比较 1）场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2）场效应管是