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第2章 逻辑门电路 §2.1 CMOS门电路 * CMOS门电路 TTL门电路 集成门电路的接口 与非门的逻辑功能： 输入有“0”，输出为“1” 输入全为“1”，输出才为“0” F1=AB 或非门的逻辑功能： 输入有“1”，输出为“0” 输入全为“0”，输出才为“1” F2=A+B 问题的提出 内部电路是什么样的，如何实现相应的逻辑功能？ 内部电路不同，逻辑功能相同，如何正确使用？ 异或门的逻辑功能： 输入相同，输出为“0” 输入不同，输出为“1” A B F =1 F=A?B 问题的提出 本章的教学目标 ■ 理解CMOS门电路结构与工作原理 ■ 掌握CMOS门电路外特性，正确使用CMOS门电路 ■ 理解TTL门电路结构与工作原理 ■ 掌握TTL门电路外特性，正确使用TTL门电路 门电路的分类 集 成 逻 辑 门 双极型集成逻辑门 MOS集成逻辑门 按制造工艺分 PMOS NMOS CMOS 按集成度分 SSI（ ＜ 10个等效门） MSI（＜100个等效门） LSI （＜104个等效门） VLSI（＞104个以上等效门） TTL、ECL I2L、HTL MOS管的开关特性 CMOS反相器 CMOS与非门和或非门 CMOS门电路的电气特性 CMOS传输门 改进型CMOS门电路 MOS管的开关特性 MOS管又称为绝缘栅型场效应三极管 （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transisteor , MOSFET） MOS管分为N沟道MOS管（NMOS）和P沟道MOS管（PMOS），它们的工作原理基本相同。 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 NMOS管的结构和符号 1． vDS=0，vGS＞0 vGS＞0将在绝缘层产生电场， 该电场将SiO2绝缘层下方的空穴推走，同时将衬底的电子吸引到下方，形成导电沟道。 反型层 产生有漏极电流ID。这说明vGS对ID的控制作用。 MOS管的工作原理 2． vDS＞0，vGS＞0 思考：何谓反型层？何谓开启电压？ NMOS管和PMOS管的通断条件 NMOS 当vGS＞VTN时导通 当vGS＜VTN时截止 PMOS 当∣vGS∣＞VTP时导通 当∣vGS∣＜VTP时截止 （1）当vGS=0时，rds可达到106Ω。当vGS增加时，rds减小，最小可达到10Ω左右，因此，MOS管可看成由电压控制的电阻。 （2）MOS管的门极有非常高的输入阻抗。 MOS管的电路模型 ? CMOS反相器的电路结构 CMOS反相器 漏极相连做输出端 PMOS NMOS 柵极相连做输入端 ? CMOS非门的工作原理 CMOS反相器 如果将0V定义为0，逻辑VDD定义为逻辑1，将实现逻辑“非”功能 。 1.当vI=0V时，vGSN=0V，VTN截止，∣vGSP∣=VDD ，VTP导通，vO≈VDD，门电路输出输出高电平； 2.当vI=VDD时，VGSN=VDD ，VTN导通，∣VGSP∣=0V，VTP截止，vO≈0V，门电路输出低电平。 ? CMOS与非门 CMOS或非门和与非门 0 0 通 通 止 止 1 CMOS或非门和与非门 止 止 1 0 0 通 通 ? CMOS二输入或非门 思 考 题 ? CMOS门电路结构上有什么特点？ ? 如何分析CMOS门电路的逻辑功能？ 1．电压传输特性 用来描述输入电压和输出电压关系的曲线，就称为门电路的电压传输特性。 V2 vI vO V1 1 CMOS门电路的电气特性 测量电路 vI/V 5.0 3.5 1.5 A B 5.0 0 C D vO/V AB段：vI≤1.5V， VTN截止， VTP导通，输出电压vO≈VDD CD段：vI≥3.5V， VTN导通， VTP截止，输出电压vO≈0V BC段：1.5V≤vI≤3.5V ，VTP、VTN均导通。当vI =VDD／2时， VTP和VTN 导通程度相当。 CMOS门电路的电气特性 vI/V 5.0 3.5 1.5 A B 5.0 0 C D vO/V AB段：VTN管截止，电阻非常大，所以流过VTN和VTP管的漏极电流几乎为0。 CD段：VTP管