俄歇电.pptVIP

电极V2-2、V3、V4、V5和V6组成主聚焦系统。在电极V2-1和V2-2之间,以及V4和V6上装有带小孔的钼片,该钼片具有限制束收敛角的作用,也可以在电子枪的调试中当束偏心时进行防护和显示。为了补偿机械上的非准直性和杂散磁场的影响,在电极V4和V6上各装有一组偏转板。 电子枪和能量分析器之间的位置配置有两种，同轴配置和非同轴配置。 电子枪的性能指标有电子束径、束流强度和束流能量。电子束径表征电子束会聚成细束的程度。 电子束流除影响电子束径外，还关系到检测灵敏度和录谱时间，俄歇分析一般为10-6~10-9A，过大的束流对样品的损伤严重。AES的一次电子束能量一般为3~5keV 3.电子能量分析器 电子能量分析器是俄歇谱仪的核心部分，用以测量俄歇电子的动能。 目前AES使用的静电偏转型分析器主要有两种：筒镜型分析器、半球型分析器。 （1）筒镜分析器 两个同心的圆筒。样品和内筒同时接地，在外筒上施加一个负的偏转电压，内筒上开有圆环状的电子入口和出口。 激发电子枪放在筒镜分析器的内腔中，也可以放在筒镜分析器外。 俄歇电子从入口位置进入两圆筒夹层，因外筒加有偏转电压，最后使电子从出口进入检测器。若连续的改变外筒上的偏转电压，就可在检测器上依次接收到具有不同能量的俄歇电子。 从能量分析器输出的电子经电子倍增器、前置放大器后进入脉冲计数器，最后由x-y记录仪或荧光屏显示俄歇谱。 不同能量的电子通过分析器后最大限度的被分离，以便选出某种能量的电子（色散特性——获得高分辨率） 具有相同能量、不同发射角的电子尽可能会聚于一点（聚焦特性——获得高灵敏度） 上述两方面要求相互矛盾，应根据具体问题，做折中选择。 （2）半球型能量分析器 样品、G1接地——形成无场空间，电子按原有方向前进 G2、G3接负电位-Vr——对电子形成拒斥场 G4接地——减小电场渗透和电位畸变，提高分辨率 收集极接正电压——收集电子 缺点：分辨率不高，检测灵敏度低 4.锁相放大器 以电子束激发的俄歇过程，其俄歇电子数值大致为二次电子背景的1/10，在俄歇分析中的最大困难是如何从强大的背景中检测出微弱的俄歇信号。 采用锁相放大技术实现对俄歇谱的能量微分，并通过频率和相位的选择性放大，是解决上述困难的关键。 锁相放大器由信号通道、参考通道和相敏检波器三个部分组成。 信号通道作用是将信号放大，并由带通滤波器对伴随噪声进行处理，以免相敏检波器过载。 参考通道是提供一个与源信号同频的信号，采用与源信号共同的激发源，经整形、移相后送至相敏检波器。 当两个通道信号进入并在混频器混频后，得到与输入信号成正比的电压。在源信号与参考信号同相位时，输出最大；相位差为π/2时，输出为零。如此可以很大程度地抑制噪声的输出。 5.离子枪和预处理室 离子枪是进行样品表面剖离的装置，主要用于样品的清洗和样品表层成分的深度剖层分析。常用Ar作为剖离离子，能量在1~5keV。 样品的预处理室是对样品表面进行预处理的单元。一般可完成清洗、断裂、镀膜、退火等一系列预处理工作。 三、数据分析与表征 俄歇谱一般有两种形式：积分谱和微分谱。 定义 优点 缺点 获取方式 积分谱 N(E)-E 保证信息量高信噪比 背景难以直接处理 可以直接获得 微分谱 dN(E)/dE-E 高信背比（俄歇电子信号强度占比小），易识别 可能失去部分有用信息且解释复杂 通过微分电路或计算机数字微分获得 三、数据分析与表征 负峰尖锐，正峰较小 三、数据分析与表征 非弹性散射 弹性散射 二次电子 俄歇电子峰叠加在二次电子谱和散射电子谱上，俄歇峰出现在非弹性散射区域。 三、数据分析与表征 三、数据分析与表征 俄歇电子动能 俄歇电子能谱主要依靠俄歇电子的能量来识别元素，因此准确了解俄歇电子的能量对俄歇电子能谱是非常重要的。 通常有关元素的俄歇电子能量可以从俄歇手册上直接查得，不需要人工进行计算。 俄歇电子的强度除了与元素的存在量有关外，还与原子的电离截面，俄歇产率以及逃逸深度等因素有关。（半定量） 三、数据分析与表征 俄歇化学效应 虽然俄歇电子的动能主要由元素的种类和跃迁轨道所决定，但由于原子内部外层电子的屏蔽效应，芯能级轨道和次外层轨道的电子结合能在不同的化学环境中是有微小的差异。 这种轨道结合能的微小差异导致俄歇电子能量的变化，称为俄歇化学位移，因为它取决于元素在样品中所处的化学环境。 利用这种俄歇化学位移可以分析元素在该物种中的化学价态和存在形式。因此具有广阔的应用前景。 三、数据分析与表征 俄歇化学效应有三类： 原子发生电荷转移引起内层能级移动； 化学环境变化引起价电子态密度变化，从而引起价带谱的峰形变化； 俄歇电子逸出表面时由于能量损失机理引起的低能端形状改变，同样也与化学环境有关。 原子因“化学环