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单晶硅纳米切削的材料去除方式的研究

机械设计与制造 第2期 122 Machinery Design Manufacture 2014年2月 单晶硅纳米切削的材料去除方式的研究 张治 国 (天津大学 精密测试技术及仪器国家重点实验室 天津市微纳制造技术工程中心,天津 300072) 摘 要:3-材料切削厚度达到纳米级别,材料去除机理理论尚不成熟,需要通过分子动力学模拟仿真来研究纳米级切削 仿真,从而进一步研究材料去除的机理。对于材料的去除方式,主要就不同刀具形状及切削角度来详细讨论了材料的去 除方式。在切削前角较小的情况下,材料去除主要以推挤方式去除。由于在纳米级尺度下,随着刀具的移动,刀具前端的 单晶硅变为非晶状态,原子晶格变为无序状态,一部分原子向上移动形成切屑,材料去除是不可能类似剪切方式有面的 滑移的方式去除的,只能以原子方式去除,故只能以推挤方式进行材料去除。 关键词:分子动力学仿真;去除方式;纳米切削 中图分类号:TH16;TB383;0613.72 文献标识码:A 文章编号:1001—3997(2014)02—0122—02 StudyofChipRemovalWaybasedontheMonocrystillineSilicon CuttingMolecularDynamicsSimulation ZHANG Zhi——guo (StateKeyLaboratoryofPrecisionMeasuringTechnology Instruments,CentreofMicroNanoManufacturingTechnology, TianjinUniversity,Tianjin300072,China) Abstract:WhencuttingthicknesstoachievenanosCale,material removolmechanism theoryisnotyetmature.Itneedsstudy thenanoscalecuttingsimulationbymoleculardynamicssimulation.SO∞tofurtherstuyd themechansimofmaterialremova1. hdiscussedindetailthedifferentshapeofcuttingtoolandrakenagleofmaterialremovalmode.Whenrakeangleissmall, materialremovalmethodsisbypushwaydueunderthenanoscaledimension.Withthemovementofthecuttingtool,onthe frontofcuttingtool,monocrystallinesiliconbecomestomaorphousstate.Itisimpossibleforthematerialremovaltoremove thesimilarshearingwiththesfiPandonlybeatomically,sotheonlyway topushformaterialremova1. KeyW ords:M olecularDynamicsSimulation;ChipRemovalWay;NanoCutting 1引言 293K。具体仿真参数,如表 1所示。 在传统加工领域,材料去除方式相关理论已经很成熟 。塑 ● 刀具 性材料切削过程是机械制造过程的一个重要组成部分。这一过程 中,始终存在着刀具切削工件和工件材料抵抗切削的矛盾,从而 产

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