模拟电子电路 第二章双极型晶体管及其放大电路精要.ppt

* 模拟电子技术 * (3)源电压放大倍数Aus: R s ＋ － U s R E1 5.3k R R C2 3k R E3 3k － U EE ( － 6V) R L U o － ＋ 0.2k V D 1 V 1 V 2 V 3 (＋ 6V) ＋ U CC 2k V Z * 模拟电子技术 * * 模拟电子技术 * 二、CE―CB组合放大器 R B3 ＋ － U s R s U i ＋ C 1 R B2 ＋ C 3 R B1 R C ＋ C 2 U CC U o ＋ C E R E R L V 2 V 1 U o1 (a)电路 * 模拟电子技术 * 图2―44 CE―CB组合放大器 (b)交流通路 ＋ － U s R s R i R B ＋ － U i V 1 R i2 V 2 U o1 R C R L R o ＋ － U o * 模拟电子技术 * 作 业 2-3 2-4 2-5 2-6 2-8 2-9 2-13 2-17 2-23(2) 2-24 2-25 2-28 2-30 2-32 2-33 2-35 * 模拟电子技术 * uCE t Ucem uce UCE uCE(max) uCE(min) 注意：主字母大小写，脚标大小写的用法 瞬时值 t t = + 直流分量 交流分量 * 模拟电子技术 * 式中： 称为穿透电流。 c I CEO e N P N I B R C U CC I CBO 15V b I BN I EN I CN = 0 c b e R C U CC 15V I CEO I EP * 模拟电子技术 * 图2―6 共发射极输入特性曲线 * 模拟电子技术 * ＋ － U i R i2 A 2 ＋ － U o R i1 U s1 R s1 R L R in U sn R sn U S(n-1) R s(n-1) R o R i A 1 A n-1 A n 级联放大器的框图 * 模拟电子技术 * 常见双极型晶体三极管型号的含义 3 D G 6 三极管 NPN型 Si材料 高频小功率管 序号 A： PNP型 Ge材料 B： NPN型 Ge材料 C： PNP型 Si材料 A：高频大功率管 D：低频大功率管 G：高频小功率管 # # * * D： NPN型 Si材料 X：低频小功率管 * 模拟电子技术 * 三极管等效参数的求法 i B u BE Q O u C E O i C Q ＋ － ＋ － b c e 简化的三极管等效电路 * 模拟电子技术 * ＋ － ＋ r bb′ r b′ e b′ b c e 考虑基区体电阻和PN结电容的三极管等效电路 C b′ c C b′ e * 模拟电子技术 * ＋ － ＋ － u ce r ce b c e r bb′ C b′ c r b′ e b′ r b′ c C b′ e 图2―27完整的混合π型电路模型 考虑基区宽度调制效应 * 模拟电子技术 * ＋ － ＋ r bb′ r b′ e b′ b c e 实用的低频混合π型电路模型 * 模拟电子技术 * 见图1 见图2 图1 ＋ － u be ＋ － u ce b c e r bb′ b′ * 模拟电子技术 * ＋ － u be ＋ － u ce b c e r bb′ b′ 图2 * 模拟电子技术 * ＋ － u be ＋ － u ce b c e r bb′ b′ 简化的混合π型电路模型 * 模拟电子技术 * 画出下图电路的交、直流通路 * 模拟电子技术 * 画出下图电路的交、直流通路 * 模拟电子技术 * * 模拟电子技术 * * 模拟电子技术 * * 模拟电子技术 * * 模拟电子技术 * * 模拟电子技术 * 6.发射极接有电阻RE时的情况 图2―35 发射极接电阻时的交流等效电路 * 模拟电子技术 * Ri=RB1‖RB2‖R′ * 模拟电子技术 * 例5 在图2―33(a)电路中，若RB1=75kΩ，RB2=25kΩ,RC=RL=2kΩ,RE=1kΩ,UCC=12V，晶体管采用3DG6管，β=80, r bb′=100Ω,Rs=0.6kΩ,试求该放大器的直流工作点ICQ、UCEQ及Au,Ri,Ro和Aus等项指标。 解 按估算法计算Q点： * 模拟电子技术 * * 模拟电子技术 * 例6 在上例中，将RE变为两个电阻RE1和RE2串联，且RE1=100Ω,RE2=900Ω，而旁通电容CE接在RE2两端，其它条件不变，试求此时的交流指标。 解 由于RE=RE1+RE2=1kΩ，所以Q点不变。对于交流通路，现在射极通过RE1接地。此时，各项指标分别为 * 模拟电子技术 * 可见，RE1的接入，使得Au减小了约10倍。但是，由于输入电阻增大，因而Aus与Au的差异明显减