模电03(二极管及其基本电路)-2精要.ppt

3.3半导体二极管 2. 二极管的伏安特性 (2)反向特性 3. 二极管的主要参数 4.几个重要概念 (3)关于优先导通 5.二极管应用举例 三、特殊二极管 3. 稳压二极管 * 3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 3.二极管及其基本电路 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 1. 分类 二极管按结构分有：点接触型、面接触型和平面型 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 D Si二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， Ge二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 i) 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区或门坎电压 当V＞0 即处于正向特性区域，正向区又分为两段： ii) 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长，二极管正向导通。 Vth (1) 正向特性 Si管正向导通压降约为0.7V; Ge管正向导通压降约为0.2V。 Si二极管的反向饱和电流IS 1μΑ ， Ge二极管的反向饱和电流IS为几个μΑ - 十几个μΑ 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且随|V | ↑→ 趋向于饱和IS 当V ≤VBR时，反向电流急剧 增加，VBR称为反向击穿电压。 VBR 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 (3)反向击穿特性 1、最大整流电流IF 是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2、反向击穿电压VBR 是指管子反向击穿时的电压值。手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。 3、反向电流IR 是指管子未击穿时的反向电流。其值越小，单向导电性越好。 4、极间电容Cd 是反映二极管中PN结电容效应的参数。工作在高频或开关状态时，必须考虑极间电容的影响。 5、反向恢复时间TRR 当二极管的外加电压从正偏变为反偏时，反向电流从较大变为正常值所需要的时间。 (1) 二极管的箝位作用 V I Vth D导通后 V I 理想D： 即D导通相当于短路 D加反压，I很小且趋向于IS →D 截止；理想D时，IS →0 →相当于开路或开关断开。即D具有开关作用。 (2) 如何判断D导通或截止 将D断开，测量V阳—V阴 Vth ? 是:D导通 否:D截止 对于理想D，只要V阳 V阴→导通(且导通后即箝位),否则截止 (V阳—V阴)大的二极管优先导通且箝位 D2:V阳2—V阴2=6v-(-3v)=9v D1:V阳1—V阴1=0v-(-3v)=3v D2优先导通且优先箝位(短路) →VAO = 6v，D1受反压截止 例: ? (1)整流(半波、全波) → 利用D的单向导电性 半波导通 t V Vi VO Vi Vo (2)限幅(削波) 单向削波 t V (3)低压稳压 VD=Vth Vo (4)开关作用 D导通:开关闭和 D截止:开关断开 1. 光电二极管 2. 发光二极管 其PN结通过管壳上的玻璃窗口接受光照。在反偏状态下运行，反向电流随光照强度的增加而上升，与照度成正比。 可用来进行光的测量，是将光信号转换为电信号的常用器件。 此管通过电流时将发出光来，是电子与空穴直接复合而放出能量的结果。使用的材料不同，光的波长不同，从而颜色也不同。 常作显示器件。也可将电信号转换为光信号，之后经光缆传输，再通过光电二极管再现电信号，实现电信号的传输。 稳压管是特殊的面接触型半导体硅二极管,其反向击穿是可逆的,且反向电压较稳定. 伏安特性曲线 UZ表示反向击穿电压，亦即稳压管能稳定的电压。 稳压管的稳压作用在于：在反向击穿状态，很大的电流变化量只能引起很小的电压变化量。曲线越陡，稳压性能越好。 IZ和IZM表示工作在稳压状态的最小和最大工作电流。反向电流小于IZ时，稳压管在反向截止状态，稳压特性消失；大于IZM时，稳压管可能被烧毁。 * *