三相晶闸管交流调压电路的设计和仿真.doc

目录 1设计任务及分析 1 1.1 电路设计任务 1 1.2 电路设计的目的 1 2.1 主电路的原理分析 2 3 MATLAB建模与仿真 5 3.2 参数设置 6 3.3 仿真结果及分析 6 总结 8 参考文献 9  三相晶闸管交流调压电路的设计与仿真 1设计任务及分析 1.1 电路设计任务 （1）用simulink设计系统仿真模型；能够正常运行得到仿真结果。 （2）比较理论分析结果与仿真结果异同，总结规律。 （3）设计出主电路结构图和控制电路结构图。 （4）根据结构图设计出主电路图和控制电路图，对主要器件进行选型。 通过对三星三相三线负载星型联结交流调压电路图分析可得，任一相在导通时必须和另一相构成回路。因此和三相桥式全控整流电路一样，电流流通路径中有两个晶闸管，所以应采用双脉冲或宽脉冲触发。 三相的触发脉冲应依次相差120°，同意向的两个反并联的晶闸管触发脉冲应相差180°。因此和三相桥式全控整流电路一图1 三相三线负载星型联结交流调压电路 在门极无信号，控制电流Ig为0时，在阳(A)一一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置，所以，器件呈高阻抗状态，称为正向阻断状态，若增大而达到一定值，可控硅由阻断突然转为导通，这个值称为正向转折电压，这种导通是非正常导通，会减短器件的寿命。所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压。在阳一一阴极之间加上反向电压时，器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置，呈阻断状态。当加大反向电压达到一定值时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态，此时是反向击穿，器件会被损坏。而且和值随电压的重复施加而变小。在感性负载的情况下，如磁选设备的整流装置。在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt)，如果电路上未有良好的吸收回路，此电压将会损坏可控硅器件。因此，器件也必须有足够的反向。　　可控硅在变流器(如电机车)中工作时，必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作，所以正反向峰值电压参数、应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上，考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素，在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。　　2 选择额定工作电流参数　　的额定电流是在一定条件的最大通态平均电流，即在环境温度为+40℃和规定冷却条件，器件在阻性负载的单相工频正弦半波，导通角不少于l70℃的电路中，当稳定的额定结温时所允许的最大通态平均电流。而一般变流器工作时，各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多数的情况也不可能在170℃导通角上工作，通常是少于这一角度。这样就必须选用可控硅的额定电流稍大一些，一般应为其正常电流平均值的1.5-2.0倍。　　3 选择门极(控制级)参数可控硅门极施加控制信号使它由阻断变成导通需经历一段时间，这段时问称开通时间，它是由延迟时间和上升时间组成； tr是阳极电流从l0％上升到90％所经历的时间。可见开通时间与可控硅门极的可触发电压、电流有关，与可控硅结温，开通前阳极电压、开通后阳极电流有关，普通可控硅的10μs以下。在外电路回路电感较大时可达几十甚至几百μs以上(阳极电流的上升慢)。在选用可控硅时，特别是在有串并联使用时，应尽量选择门极触发特征接近的可控硅用在同一设备上，特别是用在同一臂的串或并联位置上这样可以提高设备运行的可靠性和使用寿命。如果触发特性相差太大的可控硅在串联运行时将引起正向电压无法平均分配，使较长的可控硅管受损，并联运行时较短的可控硅管将分配更大的电流而受损，这对可控硅器件是不利的所以同一臂上串或并联的可控硅触发电压、触发电流要尽量一致，也就是配对使用。　　在不允许可控硅有受干扰而误导通的设备中，如电机调速等，可选择门极触发电压、电流稍大一些的管子(如可触发电压2V可触发电流150mA)以保证不出现误导通，在触发脉冲功率强的电路中也可选择触发电压、电流稍大一点的管。在磁选矿设备中，特别是旧的窄脉冲触发电路中，可选择一些、低一些的管子，如1.5V、在≤100mA以下。可减少触发不通而出现缺相运行。以上所述说明在某些情况下应对和参数进行选择。(以上举例对500A的可控硅参数)　　4 选择关断时间()　在阳极电流减少为0以后，如果马上就加上正向阳极电压，即使无门极信号，它也会再次导通，假如在再次加上正向阳极电压之前使器件承受一定时间的反向偏置电压，也不会误导通，这说明可控硅关断后需要一定的时间恢复其阻断能力。从电流过到器件能阻断重加正向电压的瞬间为止的最小时闻间隔是可控硅的关断时间，由反向恢复时间和门极恢复时间构成，普通可控硅的约150-200μs，通常能满足一般工频下变流器的使用，但在大感性负载的情况下可作一些选择。在中频逆转应用，如中频装置、电机车斩波器，变频调速等情况中使用，一定要对关断时间参数作选择，一般快速可控硅(即kk型