信号完整性解析课件IC发展简史.ppt

IC发展简史 1945 - 三极管（Transistor）发明 1945年，Bell Labs建立了一个研究小组探索半导体替代真空管。该小组由William Shockley领导，成员包括John Bardeen、Walter Brattain等人。1947年Bardeen和Brattain成功使用一个电接触型的“可变电阻”-即今天被称为三极管“Transistor”的 器件得到放大倍数为100的放大电路，稍候还演示了振荡器。1948年，Bardeen和Brattain提交了一份专利申请并在1950年被授予 Bell Labs - 这就是美国专利US2,524,035, Three Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials. 1950s 集成电路雏形 - 集成电路出现 1951 - 发明结型三极管（Junction Transistor）1951 年，William Shockley推出了结型晶体管技术，这是一个实用的晶体管技术，从此难以加工的点接触型晶体管让位于结型晶体管，在20世纪50年代中期，点接触型晶 体管基本被替代。1954年晶体管已经成为电话系统的必备元件，Bell实验室在生产晶体管的同时也向其他公司发放生产许可并从中提成 （royalty），在这个时候，晶体管开始进入无线电和助听器领域。1956年，由于晶体管发明的重要性，Bardeen、Brattain和 Shockley被授予诺贝尔奖（Nobel Prize）。 1952 - 单晶硅（Single crystal silicon）制造技技术 1952 - 集成电路（Integrated Circuit - IC）的概念提出1952 年5月7日，英国的雷达科学家 Geoffrey W.A. Dummer在华盛顿特区提出了集成电路的概念，即文章Solid block [with] layers of insulating materials. 1956年的尝试以失败结束，但是作为提出IC概念的先驱，Dummer是IC史册不可缺的一页。 1954 - 第一个商业化的晶体管1954 年5月10日，德州仪器（TI）发布了第一款商用的晶体管 -Grown-Junction Silicon Transistors。晶体管通过在硅晶体表面切割一个矩形区域获得，硅晶体通过含杂质的熔化炉生长得到。硅晶体管和锗晶体管相比，具有廉价和高温特性 好的优点。 1954 - 氧化、掩膜工艺（Oxide masking）Bell实验室开发出氧化（oxidation）、光掩膜（photomasking）、刻蚀（etching）和扩散(diffusion）工艺，这些工艺在今天的IC制造中仍在使用。 1954 - 第一个晶体管收音机问世工 业开发工程师协会（Industrial Development Engineer Associates）设计并生产了世界第一个晶体管收音机 - Regency TR-1，它使用4个德州仪器（Texas Instruments）制造的锗（Germanium）晶体管。 1955 - 第一个场效应晶体管问世又是Bell实验室的杰作。  1958 - 集成电路被发明1958 年7月24日，德州仪器（Texas Instruments）的雇员Jack Kilby，在笔记本中写道：如果电路元件，比如电阻，电容可以使用同种材料制造，则有可能将整个电路加工在单个片子上“single chip“。当时的真空条件很差的情况下，Kilby于当年的9月12日制造了具有5个集成元件的简单振荡电路，1959年Kilby提交了专利申请 US3,138,743：Miniaturized electronic circuits并获得授权。2000年Kilby和其他两位物理学家一起分享了诺贝尔物理奖。 1959 - 平面技术（Planar technology）问世Kilby的发明存在严重的缺陷：电路的元件依赖于金丝连接，这种连线上的困难阻碍了该技术用于大规模电路的可能。直到1958年后期仙童（Fairchild）公司瑞士出生的物理学家Jean Hoerni开 发出一种在硅上制造PN结的结构，并在结上覆盖了一层薄的硅氧化层作绝缘层，在硅二极管上蚀刻小孔用于连接PN结。Sprague Electric捷克出生的物理学家Kurt Lehovec开发出使用PN结隔离元件的技术，这个问题才得以解决：1959年，也是仙童公司雇员的Robert Noyce产生了组合Hoernis and Lehovecs工艺并通过在电路上方蒸镀薄金属层连接电路元件来制造集成电路的想法。平面工艺开始了复杂