10项目七半导体器件范例.pptVIP

1．晶体管的工作电压 实现放大作用的条件： (1)发射结“正向偏置” (2)集电结“反向偏置” 结论 由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。 1. 发射区向基区扩散电子的过程 由于基区很薄，且多数载流子浓度又很低，所以从发射极扩散过 来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流IB，剩下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。 2. 电子在基区的扩散和复合过程 集电结由于反偏，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘 的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。 3. 集电区收集电子的过程 只要符合三极管发射区的杂质浓度大大于基区的掺杂浓度，基区的掺杂浓度又大大于集电区的杂质浓度，且基区很薄的内部条件，再加上晶体管的发射结正偏、集电结反偏的外部条件，三极管就具有了放大电流的能力。 2 ．晶体管各个电极的电流分配 实验电路为晶体管的共集电极放大电路。 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.01 IE (mA) 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.01 IC (mA) 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 IB (mA) 基极电流 IB（ 小电流）控制着集电极电流IC（大电流），所以晶体管是一个电流控制器件，这种现象称为